这两个记忆用在同一本书里,不能忍受。
1.
2.3.两者的内存频率和时序不同。DDR2主板没有自动降频功能,所以同时使用时容易不稳定。
DDR:
DDR使用一个周期来回传输数据,因此同时传输量加倍,因此工作在两倍的工作频率下。直观上称为等效,故名DDR200266333400。
DDR2:
虽然DDR2的工作频率没有改变,但数据传输位宽从DDR2bit变为4bit,因此数据同时传输两次。DDR,所以它也使用etc。有效频率被命名为DDR2400533667800。
DDR3:
DDR3内存不会提高运行频率。数据传输继续小幅提升至8bit,是DDR2的两倍,从而达到更高。但以相同的频率运行。
因此可以看出,内存工作频率DDR400DDR2800DDR31600没有差异,只是宽度由于数据传输宽度增加了一倍而增加。实际内存频率是在设定的延迟下工作的。如果是DDR400和DDR2667,后者虽然带宽更宽,但实际频率较低,延迟也稍高。
DDR2与DDR的区别:
2的实际工作频率是DDR内存的两倍。
2.封装及电压
DDR封装为TSOPII,DDR2封装为FBGA;
DDR的标准电压为2.5V,DDR2的标准电压为1.8V。
3.4.其作用是让DQS、RDQS、DQ、DM信号在电阻端接处,防止这些信号在电路中反射。
(2)PostCAS:是为了提高DDR2内存的使用效率而设置的。
由于没有pre-CAS功能,其他L-Bank的地址操作会被延迟,因为CAS令占用了当前命令的地址线,使用pre使数据I/O总线处于非活动状态。-CAS,命令和数据1的冲突被消除/O总线效率被提高。
(3)OCD(Off-ChipDriver):驱动器离线调整,DDR2可以通过OCD提高信号完整性。OCD功能可以调节DQS和DQ之间的同步,保证信号信号的完整性和稳定性。
调整时,分别测试DQS高电平和DQ高电平与DQS低电平和DQ高电平发送电平上拉/回缩电阻的同步性,测试合适后才会退出OCD操作。
DDR3和DDR2的区别:
1.
2.3.4.;
DDR3在此设计模式中增加了4-bitBurstChop模式(突发变化),将BL=4操作规律与BL=4操作写入相结合,合成一个BL=8传输数据突发,它是爆裂的。模式由A112位地址线控制。5.时序(Timing),DDR2'AL为0~4,DDR3为0、CL-1和CL-2。
6.7.新功能,新的ZQ引脚,一个240欧姆的低容差参考电阻连接到该引脚,新的SRT暴露(Self-RelashTemperature)可编程温度存储器控制时钟频率。办公室
新增PASR(PartialArraySelf-Refresh)功能,用于刷新部分Bank,可以说是让整个MemoryBank的数据读写更加高效,达到省电的目的。3电压基准分为两个,即服务于命令和电子信号的VREFCA和服务于系统数据总线的VREFDQ。9.
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