三星内存条型号

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一、NANYA/南亚,WINBOND/华邦,SAMSUNG/三星,SKHYNIX/MICRON/美光,海力士内存条DDR2/DDR3/DDR4存储芯片选型表

存储芯片市场的领导者：在选择高性能可靠的存储解决方案时，NANYA/南亚、Winbond/华邦、Samsung/三星、Scanix/Micron/美光和Hynix/SMT/台湾晶高是首选品牌。它不容忽视。下面概述了一些流行型号，以满足不同应用的需求：

Samsung/三星：K4B2G0846Q-BCK0高速、K4B4G0846D-BCK0高性能和K4T51163QQ-BCE7高稳定性-这些是三星媒体的杰作。
SKHYNIX/Hynix：选择Hynix的H5TQ4G83AFR-PBC，其卓越的低功耗性能，以及H5PS1G63KFR-S6C的高密度存储，为您的系统带来无与伦比的性能提升。

持续关注三星：K4T1G164QJ-BCE7和K4T1G164QJ-BCE8这两款产品展现了三星在DDR4领域的专业技术。

ESMT/台湾晶豪：M14D5121632A-25和M14D1G1664A-25
华邦：华邦产品线从高性能的W9751G6KB-25和W971GG6SB-25到W9751G6KB-18和W971GG6SB-18。广泛的应用场景。
NANYA/南亚：NT5TU32M16EG-AC和NT5TU32M16EG-BE

以上只是DDR2/DDR3/DDR4内存模块的冰山一角。如果您需要更详细的信息或专业建议，请拨打我们的服务热线0755-8332-2522。作为电源芯片、MOS管、传感器芯片的代理商，泰兰电子致力于为您的技术选择提供全面的支持。

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二、内存条上写的SAMSUNG202K4H280838C—TCBO请问是第几代的？所有内存条上都有DDR字样吗?第一代是DDR266
不用担心纸上的标识，主要是看内存芯片上的标识。我会按照你的记忆报答你的。
K4H280838C-TCBO----粒子内存表示。
第一个数字K（或KM）表示对应的内存颗粒是三星生产的——您的内存颗粒是三星生产的。
第二位数字4表示内存芯片类型-DRAM
第三位数字H表示芯片类型说明：H代表DDR，S代表SDRAM，G代表SGRAM-你的内存是DDR内存
第4位和第5位数字代表容量和刷新率：不同的数字代表不同的含义，6A、62、63、64、65、66、67；55、56、57，代表容量为256Mbits；
6、7位代表数据宽度：088bit、16位、16bit、32位、64代表64位、one-spoil数据但都是8bit
第8位代表内存行数(即银行数量）：1-1Bank；
第9位数字表示接口的电气规格：你的是SSTL-2、2.5V、2.5V
第10位数字表示技术：C表示第4代技术——即你的内存。它是采用第四代技术制造的。
Bit11为空
Bits14和15表示内存速度：BO表示7.5ns◎CL=2.5，即133MHz
那么你的内存数据是K4H280838C-TCBO：
三星内存芯片采用第四代工艺制造，16颗芯片×128Mbits/8=256M容量，内存行数（Banks数）为4。内存速度为DDR266，延迟CL=2.5
附上清单供大家自行对比。