这两个记忆用在同一本书里,不能忍受。
1.
2.3.两者的内存频率和时序不同。DDR2主板没有自动降频功能,所以同时使用时容易不稳定。
DDR:
DDR使用一个周期来回传输数据,使传输量同时增加一倍,因此它工作在工作频率的两倍。直观上称为等效,故名DDR200266333400。
DDR2:
虽然DDR2的工作频率没有改变,但数据传输位宽从DDR2bit变为4bit,因此数据同时传输两次。DDR,所以它也使用etc。有效频率被命名为DDR2400533667800。
DDR3:
DDR3内存不会提高运行频率。数据传输继续小幅提升至8bit,是DDR2的两倍,从而达到更高。然而,在相同的工作频率下。
所以可以看出,内存工作频率DDR400DDR2800DDR31600没有区别,只是宽度增加了,因为数据传输位宽度增加了一倍。实际内存频率是在设定的延迟下工作的。如果是DDR400和DDR2667,后者虽然带宽更宽,但实际频率较低,延迟也稍高。
DDR2与DDR的区别:
2的实际工作频率是DDR内存的两倍。
2.封装及电压
DDR封装为TSOPII,DDR2封装为FBGA;
DDR的标准电压为2.5V,DDR2的标准电压为1.8V。
3.4.其作用是让信号DQS、RDQS、DQ、DM在电阻的端接处,使这些信号不会在电路中反映出来。
(2)PostCAS:是为了提高DDR2内存的使用效率而设置的。
由于没有pre-CAS功能,其他L-Bank的地址操作会被延迟,因为CAS命令占用了当前顺序的地址线,数据I/O总线空闲时使用pre-CAS,命令和数据1的冲突被消除/O总线效率被提高。
(3)OCD(Off-ChipDriver):驱动器的离线调整,DDR2可以通过OCD信号完整性和稳定性来提高信号完整性。
调整过程中,分别测试DQS高电平和DQ高电平的同步性,DQS低电平和DQ高电平在上拉/下拉电阻电平发送,OCD操作才会退出,直到经测试认为合适。
DDR3和DDR2的区别:
1.
2.3.4.;
DDR3在此设计模式上增加了4-bitBurstChop模式(突变),通过写入的方式结合BL=4的操作规律来合成BL=8给出的传输突发,突发模式为由A112位地址线控制。5.时序(Timing),DDR2'AL0~4,DDR3为0、CL-1和CL-2。6.位预紧:DDR2为4位预紧,DDR3为8位预紧。7.新功能,新的ZQ引脚,一个240欧姆的低容差参考电阻连接到该引脚,新的SRT暴露(Self-RelashTemperature)可编程温度存储器控制时钟频率。办公室
新增PASR(PartialArraySelf-Refresh)功能,用于刷新部分Bank,可以说是让整个MemoryBank的数据读写更加高效,达到省电的目的。3电压基准分为两个,即服务于命令和电子信号的VREFCA,以及服务于系统数据总线的VREFDQ。9.
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