1.电压值不同
1.低电压版本:工作电压约2.5伏,波动幅度不超过0.2伏。
2.普通电压版本:工作电压约为3.3伏,波动极限不超过0.3伏。
2.性能不同
1.低电压版本:低电压存储的性能比正常电压存储的性能差。
2.普通电压版本:标准电压存储比低电压存储性能提高约10-15%。
3.各种节能功能
1比标准电压存储更节能。大约2W。
2.普通电压版本:标准电压存储比低电压存储消耗更多电量。
参考来源:-内存
参考来源:-内存电压
低压DDR3内存与普通DDR3内存的区别在于:功耗不同、延迟时间不同、颗粒规格不同。一般来说,普通DDR3内存与低压DDR3内存的兼容性较好。由于管脚、封装等主要特性不变,DDR3低压显存、公共设计的显卡只需稍作修改即可使用,这对厂商降低成本大有裨益。
1其他功耗
1DDR3内存低压:DDR3内存低压的主要工作电压从1.8V降低到1.5V。
2普通DDR3内存:普通DDR3内存为了满足带宽要求,功耗相对较高。
2延迟时间不同
1低压DDR3内存:低压DDR3内存由于功耗降低,可以实现更高的工作频率,从而补偿了延迟时间。缺点较长。
2一般普通DDR3内存:一般普通DDR3内存由于功耗较高,存在延迟较长的缺点。
3种不同颗粒规格
1低压DDR3内存:低压DDR3颗粒规格主要为32MX32bit。单颗粒较大,4个颗粒可组成128MB显存。
2一般普通DDR3内存:普通DDR3内存的颗粒大小以16MX32bit为主,需要8128MB显存,常用于中高端显卡。
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