它们不能一起使用。
由于接口的改变,DDR4内存的金触点数量达到了284个,每个触点之间的距离也从DDR3内存的1毫米缩小到了0.85毫米(DDR4内存的金触点)。上一代DDR3内存为240),这导致DDR4将内存底部设计成中心稍微突出、边缘缩短的形状,中心高点和两端低点之间有平滑的曲线过渡这样就产生了弯曲的效果,并且金手指中心出现了“凹口”,即防傻嘴的位置比DDR3上更靠近中心。
扩展信息:
新的DDR3设计:
18位预取设计,DDR2采用4位预加载,因此DRAM核心频率仅为接口频率的1/8,DDR3-800核心工作频率仅为100MHz
2。采用点对点拓扑架构,减少地址/命令和控制总线的负载。
3.采用sub-100nm制造工艺,将工作电压从1.8V降低至1.5V,并增加异步复位(Reset)和ZQ校准功能。
为提高系统性能而做出的重要改变也体现了DDR3和DDR2之间的根本区别。在DDR3系统中,内存控制器只负责一个内存通道,并且该内存通道只能有一个插槽。因此,内存控制器和DDR3内存模块具有点对点(P2P)关系(单个物理Bank)。模块)或点对点(P22P)关系(具有双物理组的模块),从而显着减少地址/命令/控制和数据总线上的负载。
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