内存要高频率还是低时序

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一、内存选择是看频率还是时序？在选择笔记本硬件时，CPU和显卡的选择比较明确，但RAM和硬盘的选择却常常被忽视。然而，这两者并非无关紧要，而且对性能也起着关键作用。

首先，现代计算机的性能瓶颈往往在于硬盘，而不是CPU。随着处理器性能普遍提高，硬盘性能已成为限制整体性能的关键因素。至于作为CPU和硬盘之间桥梁的RAM，它的性能并不是遇到瓶颈，但也不是没有影响。

说到内存类型，主要区分DDR3和DDR4。虽然DDR4的频率普遍高于DDR3，但内存时序的差异影响了性能。例如，根据测试，DDR31600MHzCL11的性能普遍优于DDR42133MHzCL15，而即使频率相近，DDR4的延迟和读写性能也可能不如DDR3。这意味着内存时序对性能有重大影响。

在实际应用中，内存性能的微小差距可能不会明显提升或降低整体性能，但对于想要极致的用户来说，比如。例如，游戏爱好者，尤其是对内存和视频存储要求较高的游戏，需要16GB内存，这可能需要投资额外的硬件。

对于主流用户来说，8GBRAM一般就足够了。然而，如果有额外的插槽，一个经济的策略是选择4GB版本，然后自己升级。对于游戏爱好者来说，16GB的存储应该可以保证流畅的游戏体验。因此，容量和可扩展性也是选择笔记本存储时需要考虑的因素。

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二、内存时序高好还是低好？

内存时序：性能指标还是误解？

选择电脑内存时，容量和频率通常是关注的焦点，而内存时序往往被忽视。事实上，内存时序是衡量内存性能的一个关键参数。它以SPD（SerialPresenceDetect）表示，通常以CL值的形式呈现，对内存性能有重要影响。例如，高品质的内存条会清晰地标有CL值，如。

内存时序的内涵

内存时序是内存模块内部操作的时序控制，涉及多个阶段，例如tRAS（来自激活到预编程）。充电延迟）、tRCD（列地址预充电延迟）和CAS（列地址选择延迟）。CAS延迟尤其重要，因为它决定了数据的获取时间。因此，CAS延迟越低，通常性能越好。

时序与性能的关系

在保持系统稳定性的同时，减少内存时序可以提高性能，尤其是同频率的内存。中间。然而，时序并不是孤立存在的，它与内存容量和频率密切相关。因此，在选择内存时，要综合考虑这些因素，而不是一味追求低时序。

综上所述，内存时序是内存性能的重要组成部分，但判断其好坏需要结合内存容量、频率和整体系统要求来评估。同等条件下，低时序意味着更好的性能，但这并不是绝对的规律。了解内存时序的作用可以帮助您做出更明智的内存选择。

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三、内存时序低好还是高好？

低内存时间是好事。

内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期节奏。它们通常写为由连字符分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）通常省略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数指定影响随机存储器访问速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：访问列地址的延迟时间是时间中最重要的一个参数。

tRCD(RAStoCASDelay)：将内存行地址传输到列地址的延迟时间只是一个估计值，这就是为什么稍微改变这个值不会显着改变它的内存性能。

tRP（RASPrechargeTime）：存储器行地址处的闪烁脉冲再充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址激活的时间可以简单理解为内存写入或读取数据所花费的时间，一般情况下接近前三个参数之和。