芯片有10条地址线和8条数据线。
DRAM芯片存储容量为512K×8位,所以最小的数据存储单元是8位即1字节。因此,数据线一般需要8位,即8条数据线,通常为D(0)~D(7)。
同时,512K位内存可用2^19=我们知道524,288=512K因此我们可以使用19个地址的序列来表示鼓的地址。复用,地址线包含行和行信号,因此地址线数量应减少到10条地址线。地址值是递归的。
DRAN内部存储单元结构如图如下图:
扩展信息:
DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器。数据只能存储很短的时间。DRAM采用电容存储来存储数据,因此数据必须定期刷新,如果存储单元不刷新,存储的数据就会丢失。(关闭时数据丢失)DRAM存储结构为二维矩阵结构,DRAM地址数据读取分为两部分:行地址数据和。列地址数据。
DRAM结构和列地址行分时操作DRAM大大提高了地址行的利用率和DRAM集成度,并大大减少了DRAM引脚的数量。
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