内存颗粒命名(内存颗粒哪个好)

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一、请帮忙分析内存型号：HYS64T128020HU-3.7-AHYXXXXXXXXXXXXXXXXXX-XXX
123456789101112-1314
颗粒编号说明如下。
是HYNIX的缩写，意思是颗粒是现代制造的产品。
2.内存芯片类型：(5D=DDRSDRAM)
3．加工工艺及电源：（V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）
4．芯片容量密度及刷新率：（64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新）
5．内存芯片芯片结构：（4=4芯片，8=8芯片，16=16芯片，32=32芯片）
6．存储体（存储位）：（1=2banks；2=4banks；3=8banks）
7.接口类型：(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
8.内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9.能耗：（空白=正常，L=低能耗）
10．封装类型：(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11.封装堆栈：（空白=通用；S=Hynix；K=M&T；J=其他；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)）
12.包装材料：（空白=普通；P=铅；H=卤素；R=铅+卤素）
13.速度：（D43=DDR4003-3-3；D4=DDR4003-4-4；J=DDR333；M=DDR3332-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200）
14。工作温度：（I=行业标准温度（-40-85度），E=扩展温度（-25-85度））
记住数字2、3、6、13等的实际含义。现代DDRSDRAM内存芯片使它们易于识别。特别地，第13位是该内存的实际最高操作状态。