内存性能指标包括以下几个方面。
1存储速度:内存存储速度用访问一次数据所需的时间来表示。单位为纳秒,记为ns=10ˉ9秒。Ns值越小,访问时间越短,速度越高。
2:内存容量越大,越不容易卡顿,但受限于主板支持的最大容量。单条内存的容量有1GB、2GB、4GB等。主板通常至少提供两个内存插槽,如果有多个内存插槽,则计算机的总内存容量为所有内存容量的总和。
3CLCL是CASLstency的缩写,即CAS延迟时间,是指纵向存储器地址脉冲在一定频率下的响应时间。
4SPDSPD芯片是一块8脚EEROM(ProgrammableReadOnlyMemory)芯片,可存储速度、电容、电压、行列地址和宽度等参数信息。当开机时,计算机的BIOS会自动读取SPD中记录的信息。
5工作电压:由于低压内存必须比标准电压低1.5V才能保证稳定运行,所以低压内存生产对工厂的质量要求越高,内存的质量越低,这是低电压存储器的优点之一。因此,高电压内存模块和低电压内存模块的区别在于,低电压内存模块比高电压内存模块消耗更少的功率并且更加环保。
扩展信息:
内存的结构和原理。
内部存储器结构是PC芯片中最简单的。它由许多重复的“单元”组成——每个单元由一个电容器和一个晶体管(通常是一个N沟道MOSFET)组成。电容可存储1位数据,充放电后的电荷量(电位电平)分别对应二进制数据0和1。
由于电容会漏电,一段时间后电荷就会丢失,导致电位不足,数据丢失,因此必须经常充电,以保持冷却电位,所以动态存储器有刷新特性,这种刷新功能将持续到数据改变或电源关闭为止。
MOSFET是控制电容器充电和放电的开关。由于其结构简单,DRAM可以具有较小的面积和较大的存储容量。
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