内存的时序都代表什么

---

一、内存时序是什么意思？

对于相同频率的记忆，时间越短越好。

时间上的CL-TRCD-TRP(11-11-11)表示11个时钟，1600MHz内存中的默认时间是11-11-11，1333MHz内存中的默认时间是9-9。-11。9，因此具有9-9-9时序的1600MHz内存比具有11-11-11时序的1600MHz内存更快。除了通常的超频，将频率从1333MHz更改为1600MHz之外，专家还会更改时序。

基本解释

一般数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-TRCD-TRP-TRAS”，其含义为：CASlatency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，是内存的重要参数之一。有些品牌的内存会在内存条的标签上打印CL值，RAS-to-CASDlay（TRCD）；地址列在地址的延迟时间被传送。

RASPrechargeDelay（tRP），存储器行地址选通脉冲预充电延迟（tRAS），存储器行地址选通延迟；这是玩家最关心的四个时机调整。这些可以在大多数主板的BIOS中设置。内存模块制造商还计划推出符合JEDEC认证标准的低延迟超频内存模块。

在相同频率设置下，最小“2-2-2-5”的串行时序内存模块实际上可以比“3-4-4-8”带来高达3倍的内存性能。。5个百分点。

---

二、内存时序是什么意思详细介绍时序中的参数通过不同的“延迟”参数来区分。具体可以搜索一下定义，一般来说是越多越好，实际内存当前的延迟设置主要是由主板设置决定的，SPD信息只能帮助内存实现，但并不能决定主板参数设置。
时间是一种记忆延迟。越多越好。在考虑高频内存模块时，往往很难控制时序，所以高频低时序的内存一般比较贵，图中左边的较低，但时序较好，右边的频率较高。，而且时机稍微差一点，从整体表现来看，右边的更强一些，考虑到价格。
内存的时序参数一般缩短为2226111T。格式分别表示值CAStRCDtRPtRASCMD，2226111T中的最后两个定时参数，缩写为tRAS和CMDCommand，是目前最复杂的定时参数之一。在市场上。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。您可能会在内存模块的产品页面上看到一系列用破折号分隔的数字，例如16181838。这些数字基本上称为内时序，因为它们代表访问时间，因此时序自然越低越好。
CASLatencyControlTCLSettings=Auto,1,15,2,25,3,35,4,45。这是最重要的内存参数之一，玩家在描述内存参数时通常会放在第一位，如3448@275MHz，表示cl为3，通常2可以达到更好的性能，但是。
内存时序参数一般缩写为2226111T格式，分别代表CAStRCDtRPtRASCMD的值2226111T中的最后两个时序参数，分别缩写为tRAS和CMDCommand，是目前市面上最复杂的时序参数之一去理解。
一般数字“ABCD”对应的参数为“CLtRCDtRPtRAS”，其含义为CASLatency，缩写为CL值，内存的CAS延迟时间，是内存的重要参数之一。CL值RAS-to-CASDelay印在内存模块标签上。