内存条时序c32跟c36哪个好(ddr4 内存时序表)

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一、内存时序高好还是低好？

低内存时间是好事。

存储器时序CL描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)的性能。TRCDTRP和TRAS是四个参数，单位是时钟周期。它们通常写成由字母分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时第五个参数（命令速率）为2N；也常写为1N、2T或1T也包括在内。

这些参数定义了影响随机存取存储器速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟。通常以纳秒为单位测量。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：列地址访问的延迟是最重要的时序参数之一。

tRCD（RAStoCASDelay）：将内存行地址发送到tRCD列地址的延迟时间只是一个估计，因此稍微改变这个值不会显着改变内存的性能。

tRP（RASPrechargeTime）：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址激活的时间，即内存写入或读取数据的时间，一般接近前三个参数之和。

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二、3200的内存用什么时序好啊？3200频率内存的最佳时序通常是CL16。
关于内存时序，它是描述内存芯片性能的一个参数，一般存储在内存芯片的SPD上。内存时序通常用四个数字来表示，例如CL-tRCD-tRP-tRAS，其中CL（CAS响应时间）是最重要的参数。对于3200内存，CL16是常见的最佳时序。
在实际应用中，内存时序的选择受到多种因素的影响。除了内存频率之外，还必须考虑主板和CPU的支持。不同的主板和CPU可能有不同的内存时序支持。因此，在选择内存时序时，必须综合考虑硬件兼容性和性能要求。
以支持3200频率内存的主板为例，如果推荐的时序参数为CL16-18-18-38，那么在选择内存条时，应该选择适合自己的时序参数。。产品。这样的配置可以保证系统的稳定性和性能。
一般来说，3200频率内存的最佳时序是CL16，但具体选择需要根据硬件环境和性能要求进行调整。如果不确定如何设置，可以参考主板和内存厂商提供的推荐值，或者咨询专业技术支持人员。