内存时序高有什么影响(内存时序高会怎么样)

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一、内存时序高低有什么区别？

低内存计时是好的。

内存时序是代表SDRAM（同步动态随机存取存储器）性能的四个参数CL、TRCD、TRP、TRAS，单位是时钟周期。它通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N或1N。

这些参数指定延迟（latency），它影响随机存取存储器的速度。较低的数字通常会带来更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL(CASLatency)：列地址访问的延迟是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间。由于tRCD只是一个估计值，因此对该值的微小更改不会显着改变内存性能。

tRP(RASPrechargeTime)：存储器行址选通脉冲预充电时间。

tRAS(RASActiveTime)：行地址处于活动状态的时间，简单理解为向内存写入或读取数据的时间，通常接近前三个参数的总和。

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二、时序对内存影响多少时间对记忆的影响如下：
时间的改变对记忆寿命的影响很小，但时间的频繁改变会改变记忆的稳定性。而且，如果没有压力的话，加班对记忆力是没有影响的。
存储时间是描述存储卡性能的参数，一般存储在存储卡的SPD中。内存时间越小，内存频率越高，每个内存周期时间即时钟周期的时间就越小。例如，DDR2800每个时钟周期的延迟为2.5纳秒，从DDR2800超频到DDR1000时，每个时钟周期的延迟为2纳秒。

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三、修改内存时序对整机性能有影响吗时间变化对记忆的影响如下
时间变化对记忆的寿命影响很小，但时间的频繁变化却会改变记忆的稳定性。
而且如果不装超频的话，对内存不会有任何影响，但是只要不超过1.6V，一般情况下是不会有问题的。
存储时间是描述记忆棒性能的参数，一般存储在SPD记忆棒中。这个延迟是每个时钟周期的时间作为向存储器读写数据的时间。存储时间的单位是时钟周期。例如ddr2800每个时钟周期的延迟为2.5纳秒，而当ddr2800增加到ddr1000时，每个时钟周期的延迟为2纳秒。