内存条超频时序设置(笔记本内存条能超频吗)

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一、内存时序怎么设置？

MemoryTiming是一个参数，通常保存在内存模块的SPD上，设置方法如下：

1按F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAMTimingSelectable”。

设置中可能出现的其他描述包括：AutomaticConfiguration、Auto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等。将其值设置为“Menual”（取决于BIOS）选项有：On/Off或Enable/Disable）。

3.内存按行和列寻址当触发请求时，最初是tRAS。

4预充电后，内存实际上开始启动RAS。一旦tRAS被激活，RAS(RowAddressStrobe)就开始寻址所需的数据。

首先是行地址，然后启动tRCD，循环结束，然后通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的这段时间就是CAS延迟。所以CAS是找到最重要的数据和内存参数的最后一步。

附加信息：

最常见的内存延迟参数是CAS(CL)、tRCD、tRP和tRAS，其中大多数遵循JEDEC内存标准。以下是一些参数设置方法：

1较低的CAS周期可以减少内存延迟，提高内存工作效率。因此，只要操作系统能够稳定运行，CAS参数就应该尽可能调低。

（RASToCASDelay）：内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间有两个参数选项：2和3。越小越好。

（RASPrechargeTime）：内存行地址控制器预充电时间有两个参数选项：2和3。预充电参数越小，读写内存的速度越快。

（RASActiveTime）：从内存线有效到充电的最短周期我们有三个可选参数选项：5、6或7，但在某些nForce2主板上选择范围非常大。大，最高可以是15，最低可以是1。这个参数最好调整在5到11之间。

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二、内存时序怎么调详解内存时序调整方法？内存时间是指读写内存时的延迟时间，包括CL（CASLatency）、TRCD（RAStoCASDelay）、TRP（RASPrechargeTime）等参数。这些参数可以通过调整内存时序来优化内存性能。
以下是调整内存时序的步骤：
1.进入BIOS设置：根据主板和计算机型号的不同，进入BIOS设置的方法可能会有所不同。通常，您需要在打开计算机时按特定的键，例如F2、F12或删除键。在BIOS设置中，找到“高级”或“内存”选项，进入内存时序调整选项。
2.调整CL（CASLatency）：CL是读写内存时的延迟时间。它表示从读命令到第一次读取数据的时间。您可以通过调整CL值来优化内存性能。一般来说，较低的CL值可提供更好的性能，但也会增加延迟。因此，您需要根据您的具体情况进行调整。在BIOS设置中，找到调整CL值的选项，根据自己的需要进行调整。
调整（RAStoCASDelay）：TRCD表示从RAS（行地址选择）信号到CAS（列地址选择）信号的时间。如果这个时间持续较长，就会影响内存的读写速度。您可以通过调整TRCD值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到调整TRCD值的选项，根据自己的需要进行调整。
4.调整TRP（RASPrechargeTime）：TRP表示RAS信号重新充电所需的时间。在读写存储器之前，需要进行预充电操作，以清除之前的电荷。您可以通过调整TRP值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到调整TRP值的选项，然后根据需要进行调整。
需要注意的是，不同的内存类型和不同的计算机配置可能需要不同的最佳内存时序值。因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的优化。