ROM是只读存储器,英文为Read-OnlyMemory。
存储在ROM中的数据通常先写入,然后再加载到整个机器中。它只能在整机运行过程中读出,不能像随机存取存储器那样快速方便地记录。。ROM中存储的数据稳定,断电后也不会改变,其结构比较简单,易于读取,因此常用于存储各种程序和固定数据。除了某些类型的只读存储器(例如字符生成器)可能常用之外,不同用户所需的只读存储器的内容是不同的。
为了便于使用和批量生产,可编程只读存储器(PROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)进一步发展。例如,早期个人计算机(如AppleII或IBMPCXT/AT)的引导程序(操作系统),或许多其他微缓存计算机系统中的固件。
ROM类型:
1。掩模只读存储器:英文MaskROM。信息由制造商存储在掩模过程中。“写”。在制造过程中,使用特殊的掩模(Mask)将数据写入电路,有时也称为“掩模只读存储器”(MaskROM)。这种内存生产成本较低,常用于计算机初创公司。
2.可编程只读存储器:英文ProgrammableROM,PROM,允许用户通过专用设备(编程器)一次性写入所需的信息。它通常可以和PROM存储器一起编程一次。出厂时,每个存储单元都是1或0。用户使用时,通过编程的方法,使PROM存储必要的数据。
leProgrammableReadOnlyMemory:英文为ErasableProgrammableReadOnlyMemory,可多次编程,是可写可读的存储器,以读为主。是一款方便用户根据自己的需要进行写入的ROM,可以删除写入的内容,然后重新写入。用户可以通过打开电源写入其中存储的信息,也可以先通过紫外光源或脉冲电流擦除原始信息,然后由记录器重写新的信息。
4.电可擦除可编程只读存储器:英文为ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,是指可以随时写入而不擦除原始内容的存储器。此外,EEPROM结合了数据丢失可能性低和修改灵活性的优点。只需修改常用的控制、地址和数据总线即可。
5.闪存:英文FlashMemory是Intel在20世纪90年代中期发明的一种高密度、非易失性读/写导体存储器,它兼有EEPROM和RAM的特点。这是一种全新的存储结构,俗称闪存。闪存于20世纪80年代中后期首次推出,其价格和功能介于EPROM和EEPROM之间。
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