DDR4通常运行在2133MHz,通过新的电路架构可以达到3200MHz。
相比之前的内存型号,DDR4在核心频率上理论速度是之前型号的两倍,传输参数更可靠,数据更可靠。性能进一步提升,工作电压降至1.2V,更加节能。
扩展信息:
DDR4内存最高频率可达4266MHz,电压可降至1.1V甚至1.05V。
三星表示,这款DDR4内存采用了高端显存颗粒上出现过的虚拟开漏技术,在读写数据时,泄漏率较高。只有DDR3内存的一半。
2010年12月下旬,向控制器厂商提供了这款DDR4内存模组的样品进行测试,并计划与几家内存公司合作各厂商正在密切合作,帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的制定,预计2012年正式投入商用。
参考来源:百度内存百科-DDR4
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