DDR4内存的标准规范尚未最终确定。此三星样品为UDIMM类型,容量为2GB;工作电压仅为1.2V;工作频率为2133MHz,采用全新电路架构,最高可达3200MHz。
相比之下,DDR3内存的标准只有1600MHz,工作电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点DDR4内存可节省高达40%的能源。
DDR4和DDR3最大的区别在于三点:
1.16bit预取机制(DDR3为8bit);相同核心频率下理论速度是DDR3的两倍。
2.更可靠的传输规格;进一步提高数据可靠性。
3.工作电压降低至1.2V;它更加节能。
扩展信息:
按照之前的计划;DDR4内存的频率可以高达4266MHz,电压可以低至1.1V。甚至1.05V。
三星表示,这款DDR4内存采用了出现在高品质显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏)技术。读写数据时;泄漏率仅适用于DDR3内存。一半。
三星表示,它于2010年12月底向一家控制器制造商提供了这款DDR4内存模块的样品进行测试,并计划与多家内存制造商密切合作,为JEDEC组织提供帮助。将于2011年推出。DDR4标准的制定在一年半内完成,预计2012年商用。
参考:-DDR4
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