d5内存时序参数对照表(内存4000时序一般多少)

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一、谁解释一下内存时序是什么内存时间参数一般缩写为2/2/2/6-11/1T的格式。
分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中的最后两个定时参数，即tRAS和CMD（命令缩写），是最复杂的定时参数。目前市场上对这两个参数存在一些误解，因为一些内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更熟悉的术语来说，CMDRate是芯片组意义上的延迟。它并不完全由记忆决定。芯片组负责解释虚拟地址。
不难看出，高密度、大容量的系统物理内存地址范围更大，其CMD延迟明显大于只有单内存甚至双内存的系统。内存单面内存。

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二、16-20-20-38分别对应哪几个四个内存同步号对应的设置分别是CL、tRCD、tRP和tRAS。单位是时间段，是没有单位的纯数。
CL（CASLatency）：访问列地址的延迟，这是时序中最重要的参数
tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟
tRP（RASPrechargeTime):内存行地址的预充电时间
tRAS(RASActiveTime):行地址的激活时间

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三、为啥高玩选内存不看频率看时序？一文读懂内存时序

记忆时间，简而言之，是记忆在执行各种任务时所经历的创造性延迟的数值表达，或者越来越多地从语言学角度来说，时间指的是记忆工作和工作时间。

MemoryTerm

每个都有不同的代号，分别是CL、tRCD、tRP和tRAS。这四个代号都是缩写。第二个tRCD，RAStoCASDelay，是指存储器行地址传输到列地址的延迟时间，代表RASPrechargeTime，存储器行地址的选通脉冲预充电时间；

了解了核心时间的含义后，我们需要了解内存与CPU之间的通信原理，才能正确理解核心时间对内存性能的影响。

通常，CPU的工作过程是寻址指令，内存快速定位并修复缓存的文件。

CPU在为文件A分配内存时，首先要判断该内存位于Go网格的哪些行中。那么第二个间度量tRCD，简单地表示行指令到达后到达存储器阵列中的行需要多长时间。由于每行的数据量非常复杂，值得注意的是，第一步无法准确存储和估计内存操作，因此需要第二步来完成指令。

内存确定A文件在哪一行后，必须检查数据在哪一列。为了确定列的持续时间，时间是CL。

至于第三个参数，是指验证第一行的值后，确定另一行之前需要等待的时间（time）。

tRAS的第四部分是指完成命令后总内存的总和。

现在我们将用DDR4和DDR5两种不同的内存来探讨D4和D5内存的区别。

40-40-40-77是某品牌5200MHzD5产品的时序模式，“16-16-16-36”是某品牌4000MHzD4产品的时序模式。

在时间上，两者几乎有2倍的数值差距，虽然D5内存在绝对频率上有显着的提升，但它能严重拉长延迟，这肯定会受到限制。影响用户实际使用。

这也是很多D5记忆不被很多玩家接受的原因。

提高频率可能不会明显改善用户体验，但过多的延迟就像一颗定时炸弹，无意中影响用户体验搜索高频和降低延迟可以同时内存。业界需要探讨一个重要课题。

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