如何压内存时序

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一、内存第二时序压不下去无法抑制第二个内存时序的原因是频率问题。根据查询相关信息，抑制第二次内存计时的方法如下：SDRAM行刷新周期时间通常设置为60。放宽该参数可以适当增加内存带宽。例如，如果DDR3内存超频到高于2000MHz的频率，我们建议将该值放宽到88或更高。

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二、给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？当频率为主要因素时，如果cl值不稳定，总值可以增加（这是四个时间项中的最后一个）。调整到基本高频后，可以尝试将电压提升到更高频率的DDR31.65v和DDR4.5v。一般情况下，频率值增加一级（每级大约相差266mhz），cl值增加1。（对于相同的内存也是如此。）例如ddr31600mhzcl9内存通常时钟为2133mhzcl11，但实际上可以时钟为1866mhzcl10。(1600-1866-21339-10-11)如果电压高，可以尝试提高电压。当然，最重要的还是身体方面。目前使用三星b-die芯片内存就不错，比如3000MHz频率cl14，然后是3000MHzcl16。最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v超频到2133mhz（1.5v时）而cl9只有它，非常强大。