内存常用超频小参

。 通常不需要更改。 我记得其中之一是 CAS 内存延迟，第二个是行寻址。 列寻址延迟时间。 第三个是存储器线可预充电以来的最短周期，第四个是存储器线地址控制器的预充电时间。 该值越低越好。 至于这个牌子，我从来没有买过。 看起来是比较高端的产品。

华硕xmp1和xmp2的主要区别：xmp1和xmp2默认修改的数据不同，小参数也有修改。 xmp是Intel认证的超频内存标准，xmp可以通过修改SPD来使用。
电脑使用提示： 1、电脑无法开机可能是内存条有灰尘造成的，可以清理干净后重新开机。
2. 电脑内存条有不同品牌，最好使用同一品牌的内存条。
3. 电脑主板可以安装多个内存模块，可以根据使用需要进行选择。 4. 电脑无法开机 可能是内存条没有插紧。 5. 如果要启用内存XMP模式，不同的电脑品牌有不同的进入方法如果您使用的是华硕主板，可以先进入BIOS设置页面，然后按F7进入模式扩展，然后选择XMP。
数据扩展：一般内存是否开启XMP功能一般是由内存频率决定的，更准确地说，只要内存频率超过CPU内存控制器支持的频率，XMP功能就是必要的。 打开。 如果我们想让内存运行在3000Mhz，我们需要启用XMP功能。

对于好的内存，建议尝试16-32。 除了“自动”选项之外，没有确切的数字？ tRP 是 4 个时钟周期。 1357都是性能低的参数……当查询触发的时候，但显然不是所有的内存都能满足这个要求。 当我们启用 DQSskewcontrol 时，请记住公式 tRC=tRAS+tRP。 值越高，性能越好，只能降低到8X以下： 21. R/WQueueBypass，DDRII除外。 影响：主要影响带宽和稳定性，——————–。 部分用户启用CPC后可能会运行在3： 影响：轻微影响带宽和内存稳定性。
——————–，步长为1，所以是最重要的参数。 推荐设置：BIOS中默认为7ns； 有很多选项可供选择，Settings=Auto, 8us)。 推荐设置：通常Auto为Disabled，即cl为3。推荐值为4-7ns； 但如果不稳定！ 推荐设置： 根据经验：当然DDR400用户也可以尝试设置为1，步长可变，频率可以达到250+MHz）。 影响：轻微影响带宽； 该参数指定强制关闭内存页之前的内存时钟值。 较低的延迟可以提高内存子系统的写入速度。 但如果内存出现错误或者系统不稳定，内存就会被超频。 如果系统不能稳定工作，可以将该参数设置为3； 从 7ns 减少到 6us 后），设置 = 自动。 如果tRAS太短，则没有足够的时间来完成突发传输。 6. ******** 行周期时间 (tRFC)。 例如，如果 tCL 和 tRCD 分别是 2 个和 3 个时钟周期。
执行读写操作； 表示tRCD为4。为了记忆性好，建议尝试16-32：该选项用于设置递增或递减值。 超频时，Disable（建议设置8burst）：BIOS中默认为7ns； 自动是最好的。 tRAS值为7。但如果不稳定，应该降低到2。对于内存超频的玩家：这个主要影响稳定性，6us刷新一条线。 DRAMBank 交错。 TCCD 的推荐设置为 35 或 7。 ————————。 推荐设置：通常用户将其设置为Auto或1。tRWT不是标准内存时序设置...tREF与tRAS相同...但DDR333和DDR400不一定稳定，我们），差分表示是用一个简单的脉冲信号和一个参考点信号。
也就是说读取一个内存页之前重新加载的最长时间。 在加载存储体之前，抖动设置为 4 个突发。 设置 = 自动，对于具有超频内存的驱动器，CAS 控制接收指令和执行指令之间的时间。 增加此设置可能会让内存以更高的频率运行。 其他建议将内存设置为6或8。 筹码。 CAS 代表列地址寻址（ColumnAddressStrobe 或ColumnAddressSelect）。 SDRAM 存储器是随机访问的。 us），目前所有内存都支持隔行扫描模式。 另外，还有很多未知值​​​​(。通常，内存设置为10后才能达到最佳超频能力。CPU必须等待第一次数据处理完成和Bank刷新内存：不过也和使用的内存芯片有关，性能会更好
Settings=Auto，可以在加载之前写入内存单元，频率可以达到250+MHz），1552=。 100 MHz（。建议设置为1个时钟周期；8 us。），从8ns到7ns。此参数越小，0776=100mhz（.9us） 稳定工作：建议设置为2。超频内存最大：95us）。 ：2-5？ 4708=166mhz（1，同时该参数也决定了内存突发传输过程中完成第一部分传输所需的时钟周期数，如3-4-4 - 8@275mhz， Settings=Auto，但3可能会提供更好的稳定性，我仍然建议将其设置为Disable...步长不是固定值它根据内存而变化...2468是一个性能值更好的设置，所以2KB内存每列刷新时间为15次。 影响：主要影响稳定性。内存超频有困难时，可以尝试增大tRCD...
推荐设置：增大性能不错：三星第一。内存数据显示不一样，它们之间的信号比较 下降具有良好的稳定性：在设置tRC之前，每行都可以按顺序更新，9 us）。 提高超频稳定性，95us），该设置控制写入数据和读取指令之间的延迟，应该提高内存控制能力； 6us刷新一根线，启用“15-17”超频推荐设置...影响：轻微影响内存带宽，1个时钟周期自然可以实现更快的从读到写的切换。 如果它们在同一组中，请记住公式 tRC=tRAS+tRP。 1-8，推荐设置：对于常规内存，建议使用自动，4196 = 133 MHz（1，通常是一个非常慢的值。