ddr4内存时序参数

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一、ddr4时序对比ddr3内存时序是怎样的？

TRFC是第二个小参数的值，恢复空间间隔。单位是周期。

DDR3内存通常值为90-120。但低于80会导致不稳定。CL、tRCD、tRP和tRAS被称为主时序，它们是最明显的，对粒子性能影响最大。首先，存储器（拉丁语：Memoriae或RAMtimings）是代表同步动态随机存取存储器（SDRAM）的四种电路：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟。圆形的

可见，计算机要正常工作，对各种操作信号的产生时间、稳定时间、取消时间以及相互关系都有严格的要求。操作信号的时间控制称为时序控制。只有严格的时序控制才能使各种功能部件成为一个有机的计算机系统。

扩展说明：

影响Lion内存的因素：

将内存转化为延迟本身时，最需要注意的是该单位全天候。如果不知道时钟的周期时间，就不可能知道一个数字是否比另一个数字快。

例如DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。从第一个时钟开始，CL=7给出7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可以使用更大的CL=9，但所得的绝对延迟要短6.75ns。

现代DIMM包含一个显示存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险），或者在某些情况下提高稳定性（因此建议使用时序）。

注意：但是内存是内存吞吐量的衡量标准，通常受到传输速率的限制。通过中断对多个内部SDRAM组的访问，它可以以峰值速率连续传输。然而，增加的延迟可能会导致成本增加。特别是，每款新的DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化，特别是对于市场上的第一批新一代产品，其通常具有比上一代更长的带宽。

延迟也会增加内存，但增加内存可以提高具有多个处理器或多线程的计算机系统的性能。在更高的带宽下，甚至可以在没有专用视频内存的情况下执行完整的视频图形任务。

参考来源：-内存时序

参考来源：-时序控制

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二、ddr42400内存最佳时序大约CL15-17。常规DDR42400内存模块的频率为2400MHz，时间约为CL15-17。几乎所有DDR4代内存条的默认频率都只有2133MHz，所以即使你购买了高频内存条，也需要在主板BIOS设置中启用XMP（自动超频）或者手动设置超频才能达到要求。频率是由卖家指定的，很多主板不支持2666MHz以上的频率。即使你的存储卡是4000MHz，它也会自动将频率降低到2666MHz。为此，用户需要阅读主板上的说明。

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三、三星ddr43200内存条时序三星ddr43200内存模块的默认时序为DDR4、2133、1.2V。ddr43200内存时序参数调至3200(16)8Gx16，在CL16-16-161.35V下效果较好。加载XMP可以直接将频率提升到DDR4-3200-16-16-16-362T，高频时电压为1.35V。ddr4-3200内存模块不改变初始时序。增加tRFC和tREF需要调整初始时序。DDR4内存与DDR4和DDR42内存不同。ddr4的第二时序tRTP、tRTW和tWTR对内存频率和性能没有显着影响。可以适当调节tRRD，以提高超频后的稳定性。表现。