内存性能指标包括以下几个方面。
1.存储速度:内存存储速度用访问一次数据所需的时间来表示。单位为纳秒,记为ns1秒=10亿纳秒,或1纳秒=10ˉ9秒。Ns值越小,访问时间越短,速度越高。
2.容量:内存容量越高,越不容易死机,但受主板支持的最大容量限制。单条内存的容量有1GB、2GB、4GB等。主板通常至少提供两个内存插槽。如果有多个内存插槽,则计算机的总内存容量为所有内存容量的总和。
是CASLstency的缩写,即CAS延迟时间,指的是存储器的纵向地址脉冲响应时间。它是衡量不同内存规格一定频率的重要指标之一。
芯片SPD是一个8引脚EERROM(电可擦除可编程只读存储器)芯片。该位置一般在内存条正面右侧,记录着内存速度、容量、电压、行列地址、带宽等参数信息。当您打开计算机的BIOS时,它会自动读取SPD中记录的信息。
5.工作电压:由于低压存储器需要比标准电压低1.5V才能保证稳定运行,因此低压存储器的生产对质量要求较高,出厂存储器电压越高,存储器的质量越低。嗯,这是低压存储器的优点之一。因此,压内存模块和低压内存模块的区别在于,低压内存模块比高压内存模块消耗更少的电力,并且更加环保。
扩展信息:
内存的结构和原理。
存储器的内部结构是PC芯片中最简单的。它由许多重复的“单元”组成:每个单元由一个电容器和一个晶体管(通常是N沟道MOSFET)组成。电容可以存储1位数据,充电和放电后的电荷量(电位电平)分别对应二进制数据0和1
由于电容漏电,充电后电荷就会丢失。一段时间后,导致电位不足,数据丢失。因此,必须经常进行充电,以维持潜在的刷新,使动态存储器具有刷新特性,这种刷新操作将持续到数据发生变化或电源关闭为止。
MOSFET是控制电容器充电和放电的开关。由于结构简单,DRAM可以实现小面积、大存储容量。
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