ddr3的内存和ddr4的内存区别

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一、DDR4内存与DDR3内存的区别介绍

DDR4内存与DDR3内存有以下五个方面的不同：

1．频率和电压

根据频率；DDR4内存的工作频率将从2133MHz开始。并且最高可以达到4266MHz。该频率比DDR3内存有显着提升。

就电压而言，DDR3内存的工作电压为1.5V，DDR4内存的工作电压将进一步降低，预计低至1.2V。

2.传输机制

与DDR3相比，DDR4的主要改进体现在信号传输机制上。它有两种规格：除了支持Single-endingSignaling信号外；它还引入了DifferentialSignaling（差分信号技术）技术。

3.存取机制

针对DDR3内存；目前的数据读取和访问机制是双向传输。在DDR4内存中，访问机制改为点对点技术，这是整个DDR4内存系统的核心设计。

点对点相当于一个主管对应单个散热器（这个机制的改变不会真正影响传输速度，因为主管的尺寸没有改变）这种设计的好处它极大地简化了内存模块的设计，并且更容易实现更高的频率。

4.封装技术

DDR4内存采用3DS（3-DimensionalStack）封装技术，这是DDR4内存中最重要的技术之一。用于增加大芯片的容量。

采用3DS封装技术后，单条内存容量可达现有产品的8倍。

5.特点

DDR3内存金手指为240根，内存金手指是直的，DDR4内存金手指是284，内存金手指是弯的。

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二、ddr4和ddr3内存有什么区别啊？

DDR3和DDR4是两种不同类型的计算机内存技术。它们之间的主要区别有以下几个方面：

频率：DDR4内存的频率一般比DDR3内存高，例如典型的DDR3内存。DDR4内存的频率范围为2,133MHz至3,200MHz，而DDR3内存的典型频率范围为1,066MHz至1,600MHz功耗：DDR4内存比DDR3内存更节能，因为它具有较低的电压。DDR3内存的电压为1.5V，而DDR4内存的电压为1.2V

触点数量：DDR4内存模块通常比DDR3内存模块具有更多的触点，这意味着DDR4内存模块可以提供更快的速度。数据传输速度。

尺寸：DDR4内存模组通常比DDR3内存模组更小，因为DDR4内存模组采用了更先进的封装技术。

总之，虽然DDR3和DDR4都是DRAM（动态随机存取存储器）类型的存储器，但DDR4提供了更高的性能、更低的功耗和更紧凑的设计，使其成为当前传统存储器技术之一。

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三、内存ddr3和ddr4的区别是什么？

DDR4（DoubleDataRateFourthGenerationSynchronousDynamicRandomAccessMemory）是第四代同步动态随机存取存储器。

DDR4是一种高速CMOS动态随机存取存储器，为系统提供快速的数据检索和访问服务，并为系统提供存储空间。DDR4内存条是计算机系统内部的存储单元，与上一代内存条DDR3L相比，它可以更快、更低的电压存储计算机系统数据。

DDR4内存条的传输速率通常可以达到3200MT/s，DDR3内存条的传输速率通常可以达到2133MT/s。

DDR3和DDR4内存的区别

3内存的起始频率只有800MHz，最高频率可以达到2133MHz，而DDR4内存的起始频率为2133MHz，最快频率可以达到3000MHz。

2.外观不同。作为DDR3的升级版本，DDR4在外观上做了一些改变。DDR4内存的金手指弯了；这意味着DDR4将不再兼容DDR3。

3.内存容量不同。DDR3的最大容量可以达到64GB，市场上只有16GB和32GB，DDR4的最大容量为128GB。

4.功耗各不相同。DDR3内存的工作电压为1.5V，性能更强的DDR4内存条的电压通常可以达到1.2V。