内存时序四个参数哪个重要(内存频率和时序哪个重要)

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一、为啥高玩选内存不看频率看时序？一文读懂内存时序

简而言之，内存时序是指内存在处理各种任务操作时所经历的固有延迟的数字描述。或者，更根本、更常见的是，时间指的是内存处理工作和操作时间。这四类时间是最重要的，对记忆的影响也最大。

存储时间

每种类型都有一个特定的代号，依次为CL、tRCD、tRP和tRAS。这四个代号都是缩写。第一个CL是CASLatency。描述访问内存列地址的延迟，这也是最重要的时序参数；第二个tRCD，RAStoCASDelay，指的是内存行地址传输到第三列地址的延迟时间，即RASPrechargeTime所代表的；存储器行地址处的闪存脉冲重新加载时间；第四个tRAS，RASActiveTime，描述行地址激活时间。

理解了主时序的含义后，我们还需要了解内存与CPU的连接原理，才能真正理解主时序对内存性能的影响。

正常情况下，CPU的工作流程是发出寻址指令，内存会快速查找缓存中存储的文件并进行寻址。我们将寻址过程想象成一个具有列和行的文件。。

当CPU执行文件A的搜索时，内存首先需要确定数据位于Go网格的哪一行。那么，第二个时间参数tRCD就代表这个时间。，这是内存集合。到达该行的命令后需要多长时间才能访问该行。值得注意的是，由于每行的数据量非常复杂，在内存作业的第一步中无法精确定位而能估计，因此需要第二步来完成指令。

内存识别出文件A的行后，需要确认数据在哪一列。只有识别出所有行和列后，才会锁定文件A的具体地址；定义列超时，即CL时间。换句话说，一旦内存确定了行数，访问特定列需要多长时间。

第三个参数是指确认第一行的值后，再确定另一行的等待时间（duration）。

第四个tRAS部分是指指令完成后所有内存的总和。它的值大约等于前三个值的总和。当然，时间越高，差别就越大。。

我们现在将通过两种不同内存DDR4和DDR5的时序来探讨D4和D5内存之间的差异。

“40-40-40-77”是某品牌D55200MHz产品的时序设计，“16-16-16-36”是该品牌D44000MHz产品的时序设计。那个品牌的。

从时间上看，两者在数量上几乎相差2倍以上。虽然D5内存在绝对频率上有显着提高，但它会严重延长延迟，这是必然会发生的。对用户的实际使用产生一定的影响。

这也是目前很多D5内存还没有被很多玩家接受的原因。

提高频率并不能明显改善用户体验，但过高的延迟就像一颗定时炸弹，无意中影响了用户体验。同时想要更高的频率和减少时序可能是存储器的未来。产业是一个需要继续探索的重要课题。

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二、ddr3内存时序值多少最好

TRFC值属于第二个小参数，代表更新间隔周期。团结就是时代。该值越小越好。

DDR3内存通常值为90-120。低于80，可能会造成不稳定。CL、tRCD、tRP、tRAS被称为早期，对颗粒性能影响最明显、最重要。

首先，内存时序（英文：Memorytimings或RAMtimings）由四个描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的参数组成：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是周期时钟。

可见，计算机要有序运行，对各种运行信号的产生时间、稳定时间、取消时间以及相互关系都有着严格的要求。对操作信号应用时间控制称为时间控制。只有严格的时间控制才能保证各个功能组件有机的IT系统。

扩展信息：

影响内存时序的因素：

将内存时序转换为有效延迟时，最重要的是注意，单位是时钟周期。如果不知道时钟周期的时间，就不可能知道一组数字是否比另一组数字快。

例如，DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。基于该1ns时钟，CL=7提供7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666（时钟1333MHz，每周期0.75ns）可以使用更高的CL=9，但最终产生的6.75ns绝对延迟较短。

现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含自动配置的建议内存时间。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险）或在某些情况下提高稳定性（例如使用推荐的时序）。

注意：内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受到传输速率而不是延迟的限制。通过交叉存取多个SDRAM内部存储体，您可以以峰值速度连续传输。增加带宽可能会以增加延迟为代价。具体来说，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常比上一代具有更长的延迟。

即使内存延迟增加，增加内存带宽也可以提高具有多个处理器或多线程执行的计算机系统的性能。更高的带宽还将提高没有专用视频内存的集成显卡的性能。

参考来源：-内存时序

参考来源：-时序控制