合肥长鑫内存什么时候上市

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一、紫光日本CEO坂本幸雄：3年后量产内存，10年解决设备国产化可能吗？国内存储芯片产业正在加速推进，紫光集团日本CEO坂本幸雄透露了一个重要进展。

2019年，中国存储器、闪存产业取得重大突破。长鑫官网近期也宣布推出8GBDDR4内存模组。虽然清华紫光和福建晋华是两支实力强劲的企业，但晋华受到美国制裁的限制，生产陷入停滞。紫光展锐集团旗下长江存储在高启全和尔必达存储器前总裁、紫光展锐日本CEO坂本幸雄的共同发起下，进军DRAM领域。

坂本幸雄在DRAM行业拥有超过30年的经验。紫光透露，日本计划一年内招聘约50名研发人员，扩大内存研发中心。长期合作已抵达重庆，预计三年内成为中国首个目标。

尽管中国半导体设备国产化面临挑战，但坂本幸雄认为，解决这个问题需要10年时间。他强调，紫光集团没有像金华机构那样受到限制，有信心在装备自给自足的道路上稳步前进。

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二、长鑫LPDDR5内存多久能实现17nm以下工艺并上市？合肥长鑫LPDDR5内存研发进展明朗：2-3年内成功突破

合肥长鑫在内存领域取得重大进展。去年年底，成功量产国产DDR4芯片。总投资巨大的项目已见实效。接下来，公司的LPDDR5内存技术目标已经明确，预计在17nm以下制程技术上实现突破，时间框架锁定在2-3年内。

安徽省近日印发的《薄弱环节产品揭牌和关键技术攻关任务工作方案》明确提出，存储器技术发展的重点是推动存储器技术攻关和攻关。开发LPDDR5DRAM产品，满足中高端手机的需求。设备要求低功耗、高速度。该方案需要攻克高速接口技术、BankGroup架构设计、低功耗供电技术和片上纠错编码技术，旨在实现LPDDR5DRAM的自主可控和产业化。

长鑫公司已规划出技术路线图，未来将推出10G3、10G5等新产品。工艺演进方向可能是1X、1Y、1Znm，对应16-19nm。、14-16nm、12-14nm先进技术。虽然官方给出的2-3年的期限留有提升空间，但基于长江存储闪存的快速发展，国产LPDDR5的落地时间可能会比预期更快，每一代的迭代升级速度都会加快。