内存时序控制怎么设置

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一、内存时序调节教程

4内存超频的成功不仅取决于内存颗粒能否经受住高频的考验，时序​​的调整也非常重要。如果把内存的读写看做是一个流水线操作的话，时​​序就像他们每一个一样。链接所需时间的调整只有懂得内存时序调整的高手才能真正充分利用内存。

CL值简称为memoryCASlatency，它是内存的重要参数之一。有些品牌的内存会在内存模块的标签上打印CL值RastoCASdelaytRCD，即内存行地址。延迟时间换算为列地址amd显卡修改显存定时方向盘音量调节方法105变速调节教程。

如果想进一步提升内存性能，并且主板BIOS提供了修改内存SPD中时序参数的功能，可以尝试降低内存SPD中的tCAStRCDtRPtRAS等四个选项的值BIOS。出于稳定性考虑，不建议对内存进行超频，随意修改内存时序参数。

1将内存延迟设置为较低水平。例如DDR2800内存可以设置为44410，更高频率的内存可以设置为55515，CMD参数设置为1T，并使用测试软件进行检查。内存是否能稳定工作2、降低参数延时后内存是否不稳定。

ddr3内存第二时序的设置方法如下：1个SDRAM行刷新周期时间。该值对内存带宽影响较大。一般设置为60。放宽该参数可以适当提高内存超频频率。例如，当DDR3内存超频到2000MHz以上频率时，建议将该值放宽至88或2个写入恢复延迟以上。

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二、华硕主板z77改内存时序设置1.打开BIOS中的手动设置。
2。在BIOS设置中可能出现的其他描述中查找“DRAM时序选项”。自动配置；自动地时间选择；SPD定时器配置等将值设置为“菜单”。BIOS中的选项有：启用/禁用或启用/禁用）。
3。当请求被触发时，内存由行和列处理。
4。预充电后，一旦内存启动RAS，RAS（行地址选通）对所需数据进行寻址；初始化第一类地址；然后启动tRCD；循环结束；然后通过CASAccess启动。所需数据的精确十进制地址。从CAS开始到CAS结束的时间就是CAS延迟；因此，CAS是数据检索的最后一步，也是最重要的存储参数。