内存第二第三时序

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一、nga内存第二三时序性能影响内存的第二、第三个时序性能影响如下：
的数量影响延迟。从DDR1到DDR4，时序CL变得越来越大。内存模块的频率也会增加。该值也会影响内存频率。
2、tRCD值对内存模块的最大频率延迟影响最大，因此可以通过该值的大小来区分超频或高频运行的性能。
值表示从预充电操作命令到下一行打开的最小周期数。

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二、第二时序要调吗想。第二个时序适用于所有XMP时序。所谓时序就是内存时钟信号的值。脉冲信号先上升后下降。下一个上升沿之前的时间称为时钟周期。周期会变得更短。根据博客请求，我们了解到第二个序列需要调整。如果第一个ddr4内存同步没有改变，尽量不要改变第一个同步。首先，您应该从设置第二个同步开始。提升tRFC和tREF通常可以为ddr4和ddr42内存提供更高的时钟速度。在第一个时序中，CR对内存频率和性能影响不大；ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可以适当调低以提高超频后的稳定性。tRRD对性能影响较大。应尽量避免，牺牲tRRD来换取高频。

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三、内存第二时序怎么调第二次内存时序调整如下。
行更新周期时间。该值对内存带宽影响较大。通常设置为60。通过放宽该参数，可以相应提高内存超频频率，例如将DDR3内存超频到更高频率2000MHz。
2。写恢复延迟，这个值稍微影响内存带宽，通常这个参数可以设置为8-12左右。
3。内存预充电时间，通常设置在8到12之间。