内存时序有什么影响(内存时序怎么看)

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一、内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？

内存时序高表示系统性能低，延迟大，会对计算机性能产生一定的影响。

内存计时数字越低通常意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序是描述内存模块性能的参数。通常保存在存储模块的spd中，简称cl值，是内存的重要参数之一。有些品牌的内存会在内存条的标签上打印cl值。目前，一般较好的内存条都会在参数中标注cl值。

一般来说，时序是决定内存性能的一个参数，但并不意味着时序越低，性能就越好。它还与存储容量和频率有关。只能说，容量和频率相同的两种内存中，时序越低，性能越好。

扩展信息：

内存时序的具体含义：

内存时序是一个描述内存性能的参数模块中通常存储在内存中，在模块的spd中，一般数字“a-b-c-d”对应的参数为“cltrcdtrptras”，其含义如下：

1．cl：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长度）

确实，在相同频率下，cl值越小，内存模块的性能越好。随着内存条频率的增加，ddr1-4的cl值越来越大，但其实际的cl延迟时间几乎没有变化。这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越大，存储模块的cl延迟越差。反之，ddr1-4的cl值越高，上升频率越高。

：行寻址和列寻址时钟周期的区别

TrCD的值对存储器的最大频率影响最大。内存条想要达到高频，但是如果无法提高电压并放宽cl值，就只能提高trcd值。

现在的DDR4一般都是1.2V。如果你想让CL好看，如果你想让内存条超频到更高的水平就增加TRCD，如果你想要灯光效果就增加时序。因此，大的trcd并不意味着内存模块不好，而是意味着内存模块可以超过非常高的频率。

：下一个周期之前需要预充电的时钟周期

虽然TRP的影响会随着银行的频繁操作而增加，但其影响也会根据银行的频繁操作而有所不同。因交叉操作和指令供应而被削弱。trp的放宽，有利于提高行地址激活和关闭的命中率和准确度，放宽trp，使内存模块更加兼容。

：存储一行数据时，从操作开始到寻址结束的总时间段。

此操作很少发生，仅在内存空闲或新任务启动时使用。如果tras值太小，会导致数据错误或丢失。如果该值太大，会影响内存性能。如果内存模块的负载较大，则tras值可以稍微放宽。

参考来源：--内存时序

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二、内存时序对性能的影响？

对于相同频率的存储器，时序越低越好。

Timing的CL-TRCD-TRP(11-11-11)代表11个时钟。1600Mhz内存的默认时序为11-11-11，1333Mhz内存的默认时序为9-9-。9，因此时序为9-9-9的1600Mhz内存比时序为11-11-11的1600Mhz内存要快。除了典型的超频将频率从1333更改为1600Mhz之外，专家还更改了时序。

基本说明

通用数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义如下：一样的。CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟，内存的重要参数之一。一些内存品牌将CL值打印在内存模块的标签上，即RAS-to-CASDelay(tRCD)。该地址作为列地址的延迟时间被传送。

RASPrechargeDelay(tRP)，存储器行地址选通脉冲预充电时间；RowActiveDelay(tRAS)，存储器行地址选通延迟。玩家最关心的四种时序调整可以在大多数主板的BIOS中设置。内存模块制造商还计划发布延迟低于JEDEC认证标准的超频内存模块。

在相同频率设置下，“2-2-2-5”的最小串行时序内存模块实际上比“3-4-4-8”的性能提供了高达3到3倍的内存性能“你可以。5个百分点。