skhynix手机内存编号

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一、海力士2GB1Rx8PC3-10600s-9-10-b1是几代内存?海力士2GB1Rx8PC3-10600s-9-10-b1是DDR31333。\r\n\r\n【1、内存型号中，PC3代表DDR3，10600以带宽命名，10600指的是内存带宽。\r\n\r\n​2.带宽=频率*数据位宽。\r\n​1333*64/8=10664，1333为DDR等效频率。现在单个存储器的数据位宽为64位，即1333*64。要转换字节和位，必须除以8。\r\n所以，PC3-10600=DDR31333。

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二、请问hynix309AHY50U56822AT-H8184是什么意思?HYNIXDDRSDRAM颗粒编号：
HYXXXXXXXXXXXXXX-XXX
123456789101112-1314
整个DDRSDRAM颗粒的编号共由14组数字或字母组成，每组代表内存的一个重要参数。，理解它们就相当于理解现代记忆。
粒子数解释如下：
1．HY是HYNIX的缩写，意思是颗粒是现代制造的产品。
2.内存芯片类型：(5D=DDRSDRAM)
3．加工工艺及电源：（V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）
4、芯片容量密度及刷新速度：（64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新）
5.记忆棒芯片结构：（4=4芯片；8=8芯片；16=16芯片；32=32芯片）
6．存储体（保存位）：（1=2bank；2=4bank；3=8bank）
7.接口类型：(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
8.内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9.能耗：（空白=正常；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA（UTC：8x13mm））
11.包装堆栈：（空白=正常；S=Hynix；K=M&T；J=其他；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC))
12.包装材料：（空白=普通；P=铅；H=卤素；R=铅+卤素）
13.速度：（D43＝DDR4003-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333；M＝DDR3332-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14。工作温度：（I=工业常温（-40-85度）；E=扩展温度（-25-85度））

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三、海力士内存颗粒编号都一样相同的查了一下Hynix官网发布的相关信息，显示其实有两个数字，一个是内存颗粒编号，另一个是内存编号，如果把内存看成一个Module，那么显然颗粒内存就是内存编号。相同。内存号可以称为地址，在C语言中也称为指针内存号是指向内存单元的地址和指针。