不同类型的内存,内存正常运行所需的电压值有所不同,但每种内存都有自己的规格,超过其规格很容易造成内存损坏。
SDRAM内存一般工作电压在3.3伏左右,浮动量不超过0.3伏
DDRSDRAM内存一般工作电压在2.5伏左右,浮动量不超过0.3伏。浮动量不超过0.2伏;
DDR2SDRAM内存的工作电压通常在1.8V左右。具体到每个内存品牌和型号,取决于制造商,但会遵循SDRAM内存3.3伏、DDRSDRAM内存2.5伏、DDR2SDRAM内存1.8伏的基本要求,并且会在允许的范围内浮动。。
DDR3内存的标准电压为1.5V。
使用硬件检测工具进行检测。
64是更好的工具之一。打开软件。
2单击左侧的主板,然后单击spd。然后点击右上角的记忆棒。
3.内存信息显示在右侧窗口的底部。“模块电压”是内存电压。
使用鲁大师测试电脑配置,通过查看DDR数即可查看内存。对于相同的频率,如果超过您当前使用的数量,将其降低到您当前使用的内存频率。
由于内存标签上没有具体统一的格式,识别起来有些麻烦。通用标签应包含容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息。这些也是最基本的参数。
内存延迟
内存延迟表示系统在进入准备状态进行数据访问操作之前等待内存的时间,通常用四个连续的阿拉伯数字来表示,例如“.5-6-6-18”。其实并不是说延迟越低,内存性能就越高,因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个值一起使用,相互影响的程度非常大,所以并不是说该值最大时性能最差,所以合理的比例参数非常重要。
CASLatency,即列地址选通脉冲时间延迟,也就是我们常说的CL值。这是指内存访问数据所需的延迟时间,简单地说就是内存接收到CPU指令后的响应速度。
RAS-to-CASDelay(TRCD),类似于CAS,指的是RASRowAddressStrobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定内存寻址。RAS(数据请求后首先触发)和CAS(RAS完成后触发)不连续,并且有延迟。即,将存储器行地址传输到列地址的延迟时间。
Row-PrechargeDelay(TRP),存储器行地址选通脉冲预充电时间,即从行访问结束到重启存储器的时间间隔。
行激活延迟(TRAS),内存行地址选通延迟。这是指从收到请求到启动RAS(行地址选通)并真正开始接收数据的时间间隔。
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