区别:
1.集成功耗:
SRAM集成度低,功耗高。
DRAM集成度高、功耗低。
2.工作特点:
SRAM的特点是,除非断电,写入SRAM的信息在读取时刷新电路不会消失。读取时不会破坏原有存储的信息,且一次写入后可多次读取。
DRAM是一种动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory),它利用分布在场效应晶体管的栅极与其基板之间的电容来存储信息,以存储电荷量,即电平Is。电容器端子代表电压“1”和“0”。DRAM每个存储单元需要的场效应晶体管较少,常见的是4管、3管和单管DRAM。
3.用途:
使用DRAM的计算机必须配备动态刷新电路,以防止信息丢失。DRAM通常用作计算机中的主存储器。
SRAM通常用作计算机中的高速缓存(cache)。
扩展信息:使用SRAM作为存储器的优点:
SRAM需要6个晶体管来存储一位,而DRAM只需要一个电容器和一个晶体管。缓存追求速度,所以选择SRAM,而内存追求容量,所以选择DRAM,同样的空间可以存储更多的内容,价格也相对便宜。
DRAM数据实际上存储在电容器中。当电容器长期存放时,内部电荷会减少,而外部电容不会发生变化。另外,对DRAM进行读操作时,电容需要与外界形成回路,通过检查该位是1还是0来判断电荷是流入还是流出。
所以无论如何,我们在读操作的过程中都会破坏掉原来的数据。
参考资料:—SRAM—DRAM
闪存:
是存储设备的一种,是非易失性(non-volatile)存储器。闪存的物理特性与普通存储器有着根本的区别:目前所有类型的DDR、SDRAM或RDRAM都是易失性存储器,直到电源中断为止,因此存储器中的数据无法保持每次开机时都被重置。记忆;闪存即使在没有电源的情况下也可以长时间保留数据。其存储特性相当于硬盘,是各种便携式数字设备的存储介质。
DDR内存:
DDR=DoubleDataRate双速率同步动态随机存取内存。严格来说DDR应该叫DDRSDRAM,人们也习惯叫它DDR。其中,SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory的缩写,即同步动态随机存取存储器。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写,意思是双倍速率同步动态随机存取存储器。DDR内存是在SDRAM内存的基础上发展起来的,仍然采用SDRAM的制造系统。因此,对于内存厂商来说,只需对普通SDRAM生产设备稍加改进即可实现DDR内存生产,可以有效降低成本。
RAM内存:
存储驱动器的内容可以根据需要随意提取或归档,访问速度与设备位置无关存储单元。此类存储器在设备关闭时会丢失存储器内容,因此主要用于存储短时间使用的程序。根据存储单元的工作原理,随机存储器分为静态随机存储器(英文:StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器(英文:DynamicRAM,DRAM)。
SRAM内存:
它是StaticRandomAccessMemory的缩写,即静态内存,与动态DRAM内存相对。由于SRAM的工作原理是依靠晶体管的组合来锁定电平,所以没有必要对其进行升级。只要不打开电源,数据就不会丢失,所以称为静态RAM。
DRAM内存:
DRAM(DynamicRandomAccessMemory),动态随机存取存储器,是最常见的系统内存。DRAM只能短时间保存数据。为了保存数据,DRAM使用电容存储器,因此需要不时地刷新(刷新)。如果存储驱动器不更新,存储的信息将会丢失。(关闭后数据将会丢失)
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