光威内存超频时序

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一、内存时序对性能的影响大吗？1、因此，在保证稳定性的前提下，内存时序越低越好。但是我们知道现在很多内存条都可以超频，而高频和低时序是互相冲突的，时序就得改变，如果时序足够低，就很难提高频率，比如DDR5发布了今年受到主要存储制造商的青睐。
2.目前时序对性能的影响比较大。这个不用担心，不然就浪费钱了。
3.时序并不重要，性能差异不大，主要是频率是240021331600。
4内存时序越低，时序越好意味着延迟。一般来说，官方的SPD参数是44412和DDR2667。通常只有AMD主板可以设置为1T或2T。但双通道模式下最好设置为2T，避免内存不稳定。
5主要看电压。如果CPU超频的话，内存一般都会下降一点。尝试一下01v，如果稳定就成功了。我真的不建议超频，因为如果你不超越限制，你将无法看到性能的提升。甚至破坏硬件，这是可悲的。
6.计时越小，响应时间越快，但这种差异是以毫秒为单位来衡量的，在使用过程中你感觉不到。来自制造商装配线的记忆颗粒经过测试并用于制造铂。条或超频条比普通条贵。如果不超频，这些条带在超频条件下可以运行得更稳定。
7、标记是这样的，不过一般800M时频率是55515，667M时可以是44412。智器DDR2800CL55515应该是不错的金邦黑龙条DDR2800800M内存，频率时序为44412。
8理论上来说，同代内存时序越低，DDR时间超频的空间就越大，1G时序的标准一般是3338，现在最新的DDR4时序根据已经上升到16161635。
9.后者是内存频率和内存时序共同作用的结果。提高频率和降低内存时序可以减少内存延迟，总之就是内存频率越高越好，时序越低越好，但是两者兼得是不现实的，因为大家都看得出来。
10时序是内存的延迟，图中左边的频率较低，但时序较好。右边的频率较高，时序稍差。
值属于第二个小参数，表示更新间隔。该值越小越好，DDR3内存值为9012080，会造成不稳定CLtRCDtRP和tRAS被称为第一时序，对颗粒性能影响最明显，最重要的是内存时序。
12重要事项某些应用程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编解码、图像渲染、物理效果较高的游戏等。
13内存的时间参数一般缩写为2226111T。格式分别表示CAStRCDtRPtRASCMD的值。目前市场上的参数。对参数的理解就在那里。
14时序越低越好，但是要看频率800Mhz也是这个时序。DDR的标准时序是33392T400MhzDDR2。默认时序为555152T800MhzDDR3。
15如果你电脑的显卡和CPU不是顶级水平，就没有必要买专门的高频记忆棒，记忆棒只能提高帧率十几帧。
16不，DDR800是6_6_616。你觉得比1600好吗。
17当然低时序比CL11好。另一个问题是1600比较好。

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二、光威天策3200超频3600最佳时序冠威天策超频至3200，最佳时序可达4200Mhz。
关于频率的思考：我一般的超频方法是直接自动拉取频率等参数。当计算机可以打开时，记下时间值，然后慢慢按下。但是这个效果不太好，即使是自动模式也进不去系统，所以我直接把电压设置为1.4，把时间拉到18-24-24-42，然后测试最高频率。相当于给出一个下限，将变量的最高频率控制在这个下限之内，然后控制最高频率来寻找上限。这样你就可以获得出现频率最高的黑屏范围。看看哪个更好，或者哪个都不好。然后再往下找频率，掉一个数继续找时间的上下限。

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三、超频为什么要改内存时序

1.由于超频，改变内存时序会让系统更加稳定。

2.如果您的内存超频性能不好，可以将此值设置为默认内存值或尝试增大tRCD值。

3.一般来说，随着频率的增加，次数也会相应增加。这个想法是控制电压不超过2.4V。即使在2.4V，小D9也可能不是很稳定。

扩展信息

An100系列主板相对于9系列主板的优势在于内存升级为DDR4，内存频率进一步提升。对于DDR4内存来说，工作电压较低，通常为1.2V，内存频率也较快，一般高于2133MHz，这才是真正的DDR4内存，容量大于8G。

虽然DDR4内存较DDR3有了显着提升，但追求更高频率的挑战却从未停止。很多游戏玩家和网友不断追求，不仅CPU超频、显卡超频，内存也进入了超频范畴。内存超频也需要很大的耐心。设置不当可能会导致系统不稳定或无法启动。对于初学者来说，内存超频一直是一道难以逾越的障碍，但现在X.M.P技术越来越成熟和普及，内存超频已经不再是问题。不可逾越的差距。