SRAM属于内存吗

SRAM存储元件使用较多的MOS管，占用的硅片面积较大，因此功耗较大，而低集成度的DRAM存储元件使用的MOS管较少，占用的硅片面积较小，因此功耗较大。少用；功耗和高度集成

SRAM采用正负反馈触发器电路来存储信息，因此只要一直向电路施加直流电源，存储器的状态就可以保持不变，所以不需要重新加载。DRAM利用电容存储电荷来存储信息，会发生漏电，为保证状态不改变，必须经常刷新，因为读操作会改变状态，读完后需要重新生成。

SRAM不会因读取操作而改变其状态，因此读取后不需要重新生成，特别是其读写速度很快，其存储原理可以。可以认为类似于带时钟的RS的读过程和写触发。由于DRAM，尤其是其读写速度比SRAM组件慢得多，因此其存储原理可以被认为是电容器充电和放电的过程。

SRAM价格相对昂贵，因此适合高速、小容量的半导体存储器，例如Cache。与SRAM和DRAM相比，价格较低，因此适合慢速且大容量的半导体存储器，例如主存储器。刷新方式有集中式、分布式、异步式三种。

其他信息：

静态随机存取存储器（SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓“静态”，是指只要存储器开启，其中存储的数据就可以持续保持。另一方面，存储在动态随机存取存储器（DRAM）中的数据需要定期更新。然而，当电源停止时，SRAM中存储的数据仍然会丢失（称为易失性存储器），这与ROM或闪存在断电后仍然可以存储数据不同。

参考资料：百度SRAM百科百度DRAM百科