内存时序高好还是

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一、内存的时序到底是越高越好还是越低越好内存时序越低，性能越好
但是内存频率越高，相应的时序也越高
相同频率下，时序越低越好

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二、内存超频是不加压高时序好还是加压低时序好

相同频率下，时序越低越好。然而，如果频率增加，更高的时序不会影响性能。图1显示调整时序和电压不加电压。仅调整频率。虽然时序更高，但性能却高得多

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三、内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？

内存时序高表示系统性能低，延迟大，会对计算机性能产生一定的影响。

较低的内存计时数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序是描述内存模块性能的参数。它通常存储在内存模块的SPD中，称为CL值，是内存的重要参数之一。一些内存品牌将CL值打印在内存模块标签上。目前比较好的内存条一般都会在参数中注明CL值。

一般来说，时序是决定内存性能的一个参数。然而，这并不意味着时序越低，性能就越好。它还与存储容量和频率有关。只能说，对于两个容量相同、频率相同的内存来说，时序越低，性能越好。

高级信息：

MemoryTiming的具体含义：

MemoryTiming是一个定Memory性能的参数描述模块并且通常存储在内存中。在模块的SPD中，通用数字“a-b-c-d”对应的参数为“cltrcdtrptras”，其含义如下：

1列寻址（表示延时长度）

事实上，CL值越小，内存条的性能越好，ddr1-4的cl值变得越来越大，但实际的cl延迟时间几乎没有任何变化。也就是说，CL值越大，存储器模块的CL延迟越大且存储器模块的CL延迟越差。相反，ddr1-4的CL值越高，转换频率越高。

：行寻址和列寻址时钟周期的区别

TrCD的值对内存模块想要达到的最大内存频率影响最大，但如果不能提高电压而放宽cl值，只能增大trcd值。

现在的DDR4一般都是1.2V，如果你想让CL好看，如果你想让内存条超频到更高的水平，那就增加TRCD，如果你想要灯光效果，就增加时序。因此，大的trcd并不意味着内存模块有缺陷，而是意味着内存模块可以超过非常高的频率。

：在下一个周期之前预充电所需的时钟周期

尽管TRP的影响随着bank操作的频率而增加，但其影响也根据bank活动的频繁操作而变化。因交叉操作和教学服务而被削弱。放宽trp，有利于提高命中率以及行地址激活和关闭的准确性，放宽trp，使内存模块兼容性更好。

：保存一行数据时，从进程开始到寻址结束的整个周期。

此操作很少发生，仅在内存空闲或启动新任务时使用。如果TRAS值太小，会导致数据错误或丢失。如果该值太大，会影响存储性能。当内存模块利用率较大时，TRAS值可以稍微放宽。

参考来源：-内存时序