2g加4g内存条兼容吗(4g内存条加2g内存)

2G内存和4G内存能共用吗?

能否一起使用的前提是两块内存在同一台电脑上使用时是兼容的，然后就看你用的是什么主板，用的是什么操作系统。

1.有些主板不支持双通道内存，但有些有条件支持，需要配对两个内存条。有些是无条件支持的，也就是说两块内存，无论容量大小，只要根据需要插入合适的插槽，就可以形成双通道。

2.32位操作系统支持最大4GB内存容量。两块总容量为6GB的内存是否组成双通道并没有什么意义。64位操作系统支持128GB内存，转换为64位操作系统，然后根据自己使用的主板配置双通道内存。

2g内存条和4g混用弊端？将同代不同能力的内存混用是常见的内存使用方式，不存在任何隐患。
同一代内存中，同一台电脑上使用两个相同容量的内存单元，不同频率中频率较高的会自动使用频率较低的。同一台电脑上使用的内存容量不同，也是一样的
如果一台电脑上使用两条相同容量的内存条，那么这两条内存就会不兼容。在不兼容的电脑上使用时，
不同品牌相同容量的内存可以组合，不同容量、品牌的内存可以组合，
可以用来创建相同容量的内存。容量。双通道内存和两个不同容量的内存也可以做成双通道内存，正如你所说，工作模式是4G内存分为2G和另外2G双通道，剩下的2G工作在单通道模式。
总之，两根不同容量的记忆棒一起使用的效果与两根相同容量的记忆棒一起使用的效果是一样的，不存在任何隐藏问题。

一条２Ｇ的和一条４Ｇ的内存条可以装在一起么？？？

可以安装在一起，但不能形成双通道。其实只要遵循以下几点，理论上是可以使用的，但结果只能安装后才知道

1确保两张存储卡单独连接时可以正常使用。

2.检查您的主板支持多少内存。

如果您的主板仅支持最大4GB内存，则添加更多内存后您将只能使用4GB。

主板对相同内存的支持也不同。有些主板支持2GB单条内存，但不支持4GB或8GB。

3.取决于您使用的操作系统

如果您使用的是32位Microsoft系统，该系统可能仅使用小于3.5GB的内存；如果您使用的是64位Microsoft系统，系统可能使用超过4GB的内存。

4.检查两个内存条的兼容性

1.相同类型、不同容量的内存模块可以一起使用。

例如，DDR32GB与DDR34GB相同。

2.同一类型的不同频率可以混合使用，但性能应降低到最低限度。

例如，DDR3中的1600/1333/1066。

3.不同品牌的内存可以一起使用。金士顿、威刚、海盗船、三星、宇瞻等知名内存品牌的兼容性都比较强。

金士顿2G内存和金士顿4G内存兼容吗？

这两个内存用于同一笔记本中，可能不兼容。

1.2GB2Rx8PC2-5300s-555-12，表示容量为2G，双面8颗粒，DDR2667，内存时序为555-12。

2.512MB2Rx16PC2-4200S——意思是容量512M，双面8颗粒，DDR2533，内存时序为444-11。

3.这两个存储器具有不同的频率和时序。DDR2主板没有自动降频功能，所以一起使用时很容易变得不稳定。

DDR：

DDR使用一个周期来回传输数据，因此传输量同时加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观起见，对其进行了命名，因此命名为DDR200266333400。

DDR2：

虽然DDR2的工作频率没有改变，但是数据传输位宽从DDR的2bit变成了4bit，所以同时传输的数据是DDR2的两倍DDR，所以也使用等，有效频率命名为DDR2400533667800。

DDR3：

DDR3内存不会提高运行频率。它继续将数据传输位宽提高到8bit，是DDR2的两倍，因此在相同工作频率下也达到了更高的带宽。，因此等效名称为DDR3800106613331600。

所以可以看出DDR400DDR2800DDR31600内存的运行频率没有差别，只是由于传输数据位宽加倍而导致带宽增加。

内存的实际工作频率是由延迟决定的。DDR400和DDR2800的实际工作频率是相同的。后者的带宽是前者的两倍，并且延迟相同。如果是DDR400和DDR2667，后者虽然带宽较大，但其实际频率较低，延迟也稍大。

DDR2与DDR的区别：

1.速率和预取量

DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。DDR2内存的预期4位容量是标准DDR内存的两倍。

2.封装及电压

DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；

DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。

3．bitpre-fetch

DDR是2bitpre-fetch，DDR2是4bitpre-fetch。

4.新技术介绍

DDR2引入了OCD、ODT和POST

(1)ODT：ODT是内置内核的终端电阻。它的作用是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终端电阻处被消耗，以防止这些信号在电路上反射。

（2）PostCAS：为提高DDR2内存的利用效率而设置。

当没有pre-CAS功能时，其他L-Bank的寻址操作可能会因为当前行的CAS命令占用地址线而延迟，使得数据I/O总线空闲。使用pre-CAS后，命令冲突被消除，数据I/O总线效率得到提高。

（3）OCD（Off-ChipDriver）：离线驱动器调整，DDR2可以通过OCD来提高信号的完整性。OCD的作用是调整DQS和DQ之间的同步，保证信号的完整性和可靠性。OCD的主要目的是调整I/O接口的电压来补偿上拉和下拉电阻值，目的是最小化DQS和DQ数据信号之间的差异。

调整时，分别测试DQS高电平、DQ高电平与DQS低电平、DQ高电平的同步性。如果不满足要求，则使用设置突发长度的地址线。传输上拉/下拉电阻电平，测试合格后才会退出OCD操作。

DDR3和DDR2的区别：

1．DDR2为1.8V，DDR3为1.5V。

3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格。

3.逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3有8个起始Bank。

4.突发长度。由于DDR3预计为8bit，因此突发传输周期（BL，BurstLength）也固定为8。对于DDR2和早期DDR架构系统，BL=4也常用；

DDR3增加了一个4-bitBurstChop（突发突变）模式为此目的，它将BL=4的读操作与BL=4的写操作结合起来合成一个BL=8的数据突发传输，这种突发模式可以通过A112位地址线控制。

5.寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还增加了一个时序参数——写延迟（CWD）。

6.位预取：DDR2为4位预取，DDR3为8位预取。

7.新功能，ZQ是一个新引脚，该引脚连接了240欧姆的低容差参考电阻，并且新增了一个外露的SRT（Self-RelashTemperature）可编程温度控制内存时钟频率功能。

增加了PASR（PartialArraySelf-Refresh）部分bank刷新功能，可以说是对整个内存bank进行更有效的数据读写，达到省电的目的。

3的参考电压分为两部分，即服务于命令和地址信号的VREFCA和服务于数据总线的VREFDQ。这将有效提高系统数据总线的信噪比。

9.点对点（p2p），这是为了提高系统性能而做出的重要改变。