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内存时序第四个参数(3600内存c16时序参数)

  • 内存
  • 2024-06-14 21:19:45
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一、到底什么是内存时序?为何都说买内存外行看频率,内行看时序在购买电脑内存时,大多数人都会关注内存容量和频率参数。一般来说,容量越大越好,频率越高越好。当然,这两个参数非常重要,但是还有一个重要的参数经常被人们忽视,那就是内存时间。那么什么是内存时序以及它对内存性能有什么影响呢?本期科普杂志单德君就带大家来了解一下这个内存参数。
时间会影响存储芯片上不同常见操作之间的延迟。如果延迟超过一定限度,就会影响内存性能。简而言之,内存时序是对内存在执行各种操作时可能遇到的固有延迟的描述。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。您可能会在内存模块的产品页面上看到一串用破折号分隔的数字,例如16-18-18-38。称为记忆时间。本质上,由于它们代表延迟,时间越短自然越好。这四个数字代表对延迟影响最显着的所谓“黄金时段”。
该参数对应四个存储时间号CL、tRCD、tRP、tRAS,单位为时间段。其中,CL(CASLatency)的意思是“访问列地址的延迟,这是时间上最重要的参数”;tRCD(RAStoCASDelay)表示“内存行地址传输到列地址的延迟时间”;表示“存储器行地址选通脉冲重新加载时间”;tRAS(RASActiveTime)表示“行地址激时间”。
看完上面的内容,你是不是感觉更困惑了?别担心,下面我们举一个简单的例子。
我们可以想象数据在内存中存储为一个网格,每个方格存储不同的数据,如果CPU需要任何数据,它就会向内存发出相应的指令。
例如:CPU想要位置C3处的数据。内存收到CPU的命令后,首先要判断数据在哪一行。时间的第二个参数tRCD代表这个时间,表示内存控制器收到CPU命令后需要等待多长时间。访问该行之前的行。
内存识别出包含数据的行后,如果要查找数据,还必须识别出列。时间中的第一个数字是CL,表示内存确定行号后要等待多长时间才能访问特定列。
确定行数和列数后,就可以准确找到目标数据,所以CL就是准确值。任何更改都会影响目标数据的位置,因此这是最重要的值。时间对内存性能起决定性作用的参数。
内存时间的第三个TRP是在识别出一条线路后等待另一条线路所需的时间。
第四个参数tRAS可以简单理解为向内存写入或读取数据所花费的时间。它通常接近前三个参数的总和。
因此,在保证稳定性的基础上,内存时间越低越好。但我们知道,现在很多内存条都可以超频,高频和低时序是相互冲突的。一般来说,随着频率的增加,必须牺牲时间。如果时间足够短,则很难增加它。频率。比如,今年各大内存厂商推出的DDR5内存频率确实有所提升,但时序也比DDR4内存高很多。
二、如何查看内存时序内存时序是一组四个参数(CL、TRCD、TRP和TRAS),描述时钟周期中同步动态随机存取内存(SDRAM)的性能。这些通常写为用破折号分隔的四个数字,例如上面的16-18-18-36。
第四个参数经常被省略,有时会添加第五个参数。Commandrate,通常也写作2T或1T、2N、1N。这些参数指定延迟影响。当谈到存储内存速度时,数字越低意味着性能越快,因此数字越低越好,通常以纳秒(ns)为单位进行测量。
各种数值
这四个数值组中,第一个数值组CL(即第一组)对内存性能的影响最为明显,因此很多产品都会标注。产品名称中的内存CL值。通常情况下,DDR4内存的第一组值在15左右,而DDR3内存的值在5到11之间,最后三组值也比DDR4内存小。也就是说,在相同频率下,DDR3内存比DDR4更快(笔者并不是否认DDR4)。
现在我们已经了解了时间序列中四个数字组的定义,那么在购买产品时如何应用这些小知识呢?例如,奇奇的2400MHzDDR4内存时序是17?-17-17-39,而实际测试中2666MHz内存时序为19-19-19-43。它高于2666MHz,但时序值也更高,因此没有性能优势。因此,在选择内存时,需要注意频率,如果频率相同,则应选择时序较低的产品。关于时序,如果对内存进行超频,也以通过手动超频来加快时序。对于发烧友来说,很多厂商都推出了超频版本。
三、内存时序CL值内存超频通常是调整内存的时序,本文介绍什么是时序。
Timing即内存CL值,一般用4个不带单位的纯数字表示,除以-。示例:5-4-4-12
第一个数字表示CAS延迟时间,即CL值。内存访问数据所需的延迟时间也表示内存在收到第一条指令后必须等待多长时间才能继续执行。它是内存超频时最重要的指标。
第二个数字RAStoCAS延迟,存储器行地址传输到列地址的延迟时间
第三个数字RASPrechiarge延迟,存储器行地址脉冲的预充电时间
第四个数字ActtoPrechiarge延迟,内存线地址选择延迟
时序越低,颗粒质量越好,超频潜力越大。记忆的时间随着频率的增加而增加。内存延迟可以使用以下公式计算:内存延迟=时序(CLx2000)/内存频率。
DDR4:(CL15*2000)/2133=14ns
所以内存时序随着频率的增加而增加,但最终内存延迟并没有改变太多。对于相同频率,时序越低,延迟越小。同样,在相同的时序下:频率越高,延迟越小。

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