amd集显减少占用内存

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一、bios怎么设置集显内存LoadXMPSetting：加载XMP预设。内存出厂后经过测试，找到电压、时序、频率等稳定的工作参数，并保存在内存XMP文件中。当然，你也可以手动超频，忽略这个选项。该参数可以在HWiNFO64或AIDA64中引用。
DRAMReferenceClock：内存参考源时钟，例如100Mhz可以实现与DDR3000和3100同频，133Mhz可以实现与DDR3333同频。由于内存频率是与CPUFSB和HomeAgent成比例实现的，所以一般可以设置为Auto。
DRAMFrequency：内存工作频率。例如DDR4-2800的运行频率为1400Mhz。通常情况下，主板会直接显示DDR频率，通常是AIDA64内存工作频率的两倍。
PrimaryTiming：第一个时序，通常印在标签上并贴在内存颗粒上，是购买内存时列出的四个参数：CL、tRP、tRCD和tRAS。
本文介绍了第一个时序只介绍一下时机。，对于其他时序，您可以找到有关内存的详细信息。Ryzen平台的ProcODT电阻值可以在AMD官方光头哥教程（B站av10451553）中找到。
CASLatency：CL、tCL值。发送到内存中水平和垂直地址的数据开始延迟。通常，该值可能比接下来的两个值低一到两个周期。这也是对内存性能影响最大的时序参数。它直接影响内存延迟，从而影响游戏性能~·
RAStoCASDelay：tRCD值，打开内存行和访问内存列所花费的时间。
RowPrecharge：tRP值，RAStoCASDelay的充电周期。通常，该值与RAStoCASdelay设置相同。
RASActiveTime：tRAS值，内存颗粒激活和内存充电命令之间的周期。该参数必须大于前两个值的总和。例如内存为16-16-16-36，则最终值必须大于16+16=32。通常我会添加更多的周期，例如将其设置为36以保持稳定性。
以上四个值可以在购买内存时查看。这四个值越低，内存的延迟越短，读取速度越快。当然，您可以通过手动设置来探索内存的限制，但调整电压时需要小心。
CommandRate：CR值，如果命令行速率可以设置为1，则设置为1。如果无法启动到1，请将其设置为2。通常，当在Skylake上尝试高频时，我将其设置为2。另外，跨平台的性能影响还是比较大的。
第三个时序有一个非常有趣的参数，tREFI值。这个值就是内存的刷新周期。较高的值可提高内存性能。默认值约为10,000（取决于内存）。将其设置为最大值65535相当于增加内存的时钟周期。如果基准测试者让您尝试一下，您会感到惊讶。但如果内存刷新周期过长，数据很容易丢失。尤其是内存颗粒密度比较高的时候（但是会给内存带来压力，手动眯眼，AMD光头佬说内存是为3.5v标准设计的没错，1.5v没问题）。
华硕华擎主板MRCFastBoot具有内存选项，可以让您在计算机启动时跳过内存检查，这可以显着加快计算机的启动速度。其他品牌的主板也有相应的设置。
对于AIDA64，你可以在XMP文档中看到一些第二时序设置，从相应的BIOS选项中复制一些，或者自己探索第二时序规则。tRC值必须等于RP+RAS。例如14-16-16-36的内存tRC值为16+36=52。第二个时序tRRD也不应对内存产生重大影响。它应该小于tRRD周期的4倍。
该照片由AMD社区工作人员拍摄。照片中的参数描述比主板说明书上的更准确。点击阅读原文。