今天,美光科技揭开了DDR5内存的秘密,毫无疑问,这一新一代内存技术将带来改进为用户提供出色的性能。与上一代DDR4相比,DDR5内存规格有了显着提升。
根据美光公布的消息,DDR5内存初期容量将提升至8GB,最高可达32GB,I/O带宽将达到惊人的3.2-6.4Gbps,并将电压降低至1.1V,这意味着内存带宽比DDR4增加一倍,性能显着提升。
频率方面,美光在芯片论坛上透露,DDR5内存的起始频率将定在3200MHz,主频可达6400MHz,展现出更高频率的潜力。值得注意的是,美光计划在2018年拿出DDR5内存样品,并在2019年进入量产。
根据行业预测,DDR5内存普及的时间表约为2020年,这意味着期待新技术的用户还需要耐心等待一段时间才能享受到体验。DDR5内存的优势可实现性能飞跃。
内存市场主要厂商三星宣布将于2021年开始采用先进的极紫外光刻(EUV)技术大规模生产DDR5内存。通过EUV技术的应用,三星预计将显着提高生产效率并减少光刻工艺中的重复曝光步骤,使12英寸D1a晶圆的生产率比传统工艺提高一倍。
三星计划在第四代10纳米级DRAM和高端14纳米级DRAM中全面采用EUV技术,特别是D1a工艺,目标是量产DDR5和LPDDR5芯片。。这项创新预计将使12英寸晶圆厂的生产效率提高一倍。
虽然DDR5内存标准早在2019年就发布了,标准带宽达到了令人印象深刻的32GBps,但目前还没有具体的内存规格和功能可供分享。我们只能希望在来年看到三星和这两家巨头的更多表现。
继DDR4之后,内存市场又带来了新一代主角——DDR5。作为行业领导者,美光近期详细透露了DDR5内存的主要参数,其性能得到了显着提升。
首先,DDR5内存容量起点将提升至8GB,单条内存最大可达32GB,I/O带宽范围为3.2-6.4Gbps。相比DDR4,内存带宽翻倍到惊人的水平。在电压方面,DDR5将降低至1.1V,这不仅可以提高电源效率,还可以带来更低的功耗。
频率方面,美光宣布DDR5内存起始频率为3200Mhz,主频预计将达到6400Mhz,这意味着数据传输速度的大幅提升。值得注意的是,美光计划于2018年完成DDR5内存盒的样片,并于明年实现商业化生产。
根据业内专家的预测,DDR5内存的普及极有可能在2020年实现,这意味着热切等待新技术的用户将不得不耐心等待。虽然,但一旦推出,所带来的性能提升将会是显着的。
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