根据不同存储单元的工作原理,计算机内存RAM分为静态RAM和动态RAM。
1.静态随机存取存储器(SRAM)
静态存储单元由带有附加栅极控制的静态触发器组成。因此,它依靠触发器的自我保护功能来保存数据。SRAM中存储的信息可以在不中断电源的情况下长期保存,状态稳定,不需要外部刷新电路,从而简化了外部电路设计。然而,由于基本的SRAM存储电路包含较多的晶体管,因此集成度较低且功耗较大。
2.动态随机存取存储器(DRAM)
DRAM利用电荷存储原理来存储信息,电路简单,集成度高。由于任何电容器都是漏电的,当电容器存储电荷时,一段时间后会因电容器放电而损失电荷,导致存储的信息丢失。
解决办法是每隔一定的时间间隔(2ms)对DRAM进行读写操作,这样原本处于逻辑电平“l”的电容上释放的电荷就可以得到补充,原来处于“l”的电容上释放的电荷可以得到补充。0”电平仍保持“0”。这个过程称为DRAM刷新。
区分方法:SRAM存储原理:通过触发器存储数据。单元结构:由6个NMOS或OS管组成。优点:速度快、使用方便、无需刷新、静态功耗极低,常用作Cache。缺点:元件数量多、集成度低、运行功耗高。
DRAM存储原理:利用MOS管栅极电容存储电荷的原理需要刷新(早期:三管基本单元;后来:单管基本单元)。Recharge(再生):为了及时补充丢失的电荷,避免存储信息丢失,必须经常对栅极电容进行充电。
高级资料
内存采用单元半导体存储,包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)和高速缓存(CACHE)。很简单,因为RAM是其中最重要的内存。
(同步)SDRAM同步动态随机存储器:SDRAM为168针,是PENTIUM以上型号使用的存储器。
SDRAM通过同一时钟将CPU和RAM锁定在一起,使得CPU和RAM可以共享时钟周期并以相同的速度同时工作。速度比EDO内存高50%。
DDR(DOUBLEDARATATE)RAM:SDRAM的更新产品,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿发送数据,从而在不增加时钟频率的情况下使SDRAM的速度加倍。
参考来源:-内存
参考来源:-随机存取存储器
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