三星推动智能手机发展,量产UFS2.0内置内存模块,技术升级,速度更快,容量高达256GB。这是智能手机前所未有的存储里程碑。与PCSATASSD相比,其顺序读写速度提升高达两到三倍,达到读取850MB/s、写入260MB/s,性能显着提升。
新款闪存芯片遵循“UniversalFlash2.0”标准,读写IOPS分别高达45k和40k,至少是现有UFS闪存的两倍。这将使高端智能手机能够执行复杂的多媒体任务,例如流畅的2K/4K视频播放和创建,其性能超越传统的microSD。
值得注意的是,三星强调新的闪存更小、速度更快、容量更大,这意味着手机制造商应该尽快转向这种新的存储解决方案。以提高整体性能。虽然GalaxyS7和S7Edge尚未配备256GBUFS2.0,但GalaxyNote6预计将成为首发,也可能配备6GBRAM,预示着未来智能手机将展现出更强大的性能。
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