衡量内存的三个重要指标

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一、内存条性能指标

记忆棒性能主要由以下关键指标决定：

存储容量：这是衡量记忆棒上存储的数据量的基础。168系列内存条通常提供的容量从1GB到2GB不等，规格有32MB、64MB、128MB等，比如DDRII3。
访问速度（存储周期）：也称为存储周期，是指两次独立数据访问之间所需的最短时间，一般在60纳秒到100纳秒之间，直接影响系统的数据处理速度。
可靠性：内存稳定性非常重要，通常通过平均故障间隔时间（MTBF）来衡量。MTBF是用户选择存储元件时的一个重要考虑因素。
性价比：性能和价格是综合考虑内存容量、访问速度、可靠性的评价指标。不同的应用场景可能会偏重这些性能点，因此您应根据自己的实际需求权衡购买。

这些指标共同决定了记忆棒的性能，直接影响电脑运行的高效和稳定。

扩展信息

记忆棒是连接CPU和其他设备的通道，负责缓冲和数据交换。CPU工作时需要从外部存储器读取数据，比如硬盘，但硬盘的“仓库”太大，距离CPU又远，减慢了“物质”数据的传输速度。它速度相对较慢，占用CPU资源，显着降低生产效率。为了解决这个题，人们在CPU和外存之间搭建了“小仓库”，或者说内存。

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二、衡量内存性能的指标主要有哪些方面
衡量内存性能的指标包括以下几个方面：
1、内存容量（越大越好）
注意：如果内存小于约。1GB，会影响Win7/8操作系统的响应速度，并且不同的软件和游戏应用环境有不同的内存容量要求。
2、内存频率（越高越好）
DDR3内存的频率可以达到2666+MHzDDR2和DDR3采用双倍数据速率技术（DoubleDataRate）。DDR2内存的起始频率为400MHz，最高频率可以达到DDR2-1066甚至DDR2-1200MHz，DDR3内存的起始频率为800MHz，甚至可以达到2666+的频率。
3、时序（越低越好）
时序代表内存完成一项任务所需的时间周期。时间越长，执行效率越低。DDR2内存的时序为CL5/CL6，DDR3内存的时序为CL9/CL11。总体而言，内存的定时刷新率越高，内存延迟就越大。

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三、内存的性能指标包括哪些？

内存性能指标包括以下几个方面。

1.存储速度：内存存储速度按访问一次数据所需时间=10ˉ9秒来表示。Ns的值越小，访问时间越短，速度越快。

2.容量：内存容量越大，越不容易卡顿，但受限于主板支持的最大容量。单条内存容量有1GB、2GB、4GB等。主板通常至少提供两个内存插槽，如果有多个内存插槽，则计算机的总内存容量为所有内存容量的总和。

是CASLstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地址脉冲的响应时间，是衡量不同内存规格在一定频率下的重要指标之一。

芯片是一颗8针256字节的EERROM(ElectricallyProgrammableReadOnlyMemory)芯片位置通常在内存条正面的右侧，记录着内存的速度、容量、电压等参数信息、行和列地址以及带宽。当开机时，计算机的BIOS会自动读取SPD中记录的信息。

5.工作电压：由于低压内存必须比标准电压低1.5V才能保证稳定运行，所以低压内存的生产对质量要求越高，内存质量越低越好，这就是低压内存的优点之一电压记忆。因此，高电压内存模块和低电压内存模块的区别在于，低电压内存模块比高电压内存模块使用更少的功率并且更加环保。

更多信息：

内存的结构和原理。

存储器的内部结构是PC芯片中最简单的，它由许多重复的“单元”——单元组成，每个单元由一个电容器和一个晶体管（通常是N沟道MOSFET）组成。电容可存储1位数据，充放电后的总电荷（电位电平）分别对应二进制数据0和1。

因为电容会漏电，使用一段时间后电荷就会丢失，导致电位不足，数据丢失，所以必须定期充电，以保持电位，这种充电动作称为刷新，所以动态存储器具有Refresher刷新功能，这种刷新操作会一直持续到数据改变或者电源关闭为止。

MOSFET是控制电容器充电和放电的开关。由于其结构简单，DRAM可以实现小面积和大存储容量。