内存条1n模式和2n模式

---

一、内存命令传输里面,选项1N与2N,是什么意思？1N/2N为CL1/CL2。
CL响应时间是特定内存的另一个指标。CL是CASLatency的缩写，指内存访问数据所需的延迟。简单来说，就是内存接收到CPU指令后响应的速度。一般参数值为1\2\3。数字越低，反应时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个值被规定为3。但是，在Intel制定的新规范中，强制要求CL响应时间等于2。这会在一定程度上影响内存制造商的芯片。和PCB组装工艺。要求比较高，同时保证最好的质量。看来现在很多内存都是1。特别需要检查正在使用的内存。

---

二、内存时序高好还是低好

低内存同步很好。

内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，测量单位是时钟。它们通常写为用破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数决定延迟（延迟时间），从而影响RAM的速度。数字越低通常意味着性能越好。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：访问列地址的延迟时间，这是最重要的同步参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：将内存行地址传输到tRCD列地址的延迟时间只是一个近似值，因此稍微更改该值不会对性能产生显着差异。记忆。

tRP（RASPrechargeTime）：存储器线地址选通脉冲的预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址激活时间可以简单理解为在内存中写入或读取数据的时间。通常它接近前三者的总和。参数。