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内存频率时序都是什么(内存频率高于cpu频率)

  • 内存
  • 2024-06-27 21:57:00
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一、内存时序是什么1、内存时序(英文:Memorytimings或RAMtimings)由四个描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的参数组成:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位是时钟周期。
2.它们通常写为用连字符分隔的四个数字,例如例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)经常被省略,有时会增加第五个参数:Commandrate,通常为2T或1T,也写为2N、1N。这些参数表示延迟(latency),它影响RAM的速度。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟,通常以纳秒为单位。
二、到底什么是内存时序?为何都说买内存外行看频率,内行看时序在购买电脑内存时,大多数人都会关注内存的容量和频率参数。一般来说,容量越大越好,频率越高越好。当然,这两个参数非常重要,但是还有一个重要的参数经常被人们忽视,那就是内存时间。那么什么是内存时序以及它对内存性能有什么影响呢?本期科普杂志单德君就带大家来了解一下这个内存参数。
时间会影响存储芯片上不同常见操作之间的延迟。如果延迟超过一定限度,就会影响内存性能。简而言之,内存时序是对内存在执行各种操作时可能遇到的固有延迟的描述。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。您可能会在内存模块的产品页面上看到一串用破折号分隔的数字,例如16-18-18-38。称为记忆时间。本质上,由于它们代表延迟,时间越短自然越好。这四个数字代表对延迟影响最显着的所谓“黄金时段”。
该参数对应四个存储时间号CL、tRCD、tRP、tRAS,单位为时间段。其中,CL(CASLatency)的意思是“访问列地址的延迟,这是时间上最重要的参数”;tRCD(RAStoCASDelay)表示“内存行地址传输到列地址的延迟时间”;表示“存储器行地址选通脉冲重新加载时间”;tRAS(RASActiveTime)表示“行地址激活时间”。
看完上面的内容,你是不是感觉更困惑了?别担心,下面我们举一个简单的例子。
我们可以想象数据在内存中存储为一个网格,每个方格存储不同的数据,如果CPU需要任何数据,它就会向内存发出相应的指令。
例如:CPU想要位置C3处的数据。内存收到CPU的命令后,首先要判断数据在哪一行。时间的第二个参数tRCD代表这个时间,表示内存控制器从内存接收到命令后需要等待多长时间。访问该行之前的行。
内存识别出包含数据的行后,如果要查找数据,还必须识别出列。时间中的第一个数字是CL,表示内存确定行号后要等待多长时间才能访问特定列。
确定行数和列数后,就可以准确找到目标数据,所以CL就是准确值。任何更改都会影响目标数据的位置,因此这是最重要的值。时间对内存性能起决定性作用的参数。
内存时间的第三个TRP是在识别出一条线路后等待另一条线路所需的时间。
第四个参数tRAS可以简单理解为向内存写入或读取数据所花费的时间。它通常接近前三个参数的总和。
因此,在保证稳定性的基础上,内存时间越低越好。但我们知道,现在很多内存条都可以超频,高频和低时序是相互冲突的。一般来说,随着频率的增加,必须牺牲时间。如果时间足够短,则很难增加它。频率。比如,今年各大内存厂商推出的DDR5内存频率确实有所提升,但时序也比DDR4内存高很多。