低内存时序是好的。
存储器时序是描述同步动态随机存储器(SDRAM)性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS,单位是时钟周期。它通常写为由破折号分隔的四个数字,例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)常被省略,有时会加上第五个参数Commandrate(命令速率),通常为2T或1T,也写为2N、1N。
这些参数决定了影响RAM速度的访问时间(延迟时间)。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟,通常以纳秒为单位。
内存时序参数介绍
CL(CASLatency):列地址访问延迟时间是最重要的时序参数。
tRCD(RAStoCASDelay):将内存行地址发送到tRCD列地址的延迟时间只是一个估计,这就是为什么稍微改变这个值不会显着改变内存性能。
tRP(RASPrechargeTime):存储器行地址的强脉冲预充电时间。
tRAS(RASActiveTime):行地址被激活的时间,可以简单理解为内存写入或读取数据所花费的时间,一般接近前三个参数之和。
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