内存时序15 15 15 36

---

一、DDR4内存时序16-16-16-39好还是15-15-15-35好,为什么,求大神解答15-15-15-35就好，时间越短越好

---

二、DDR2内存的时序具体是什么?比如4-4-4-15,5-5-5等等类别：计算机/网络>>硬件
分析：
内存时序对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，具体为：
CAS(ColumnAddressStrobe)Latency：表示列地址选通脉冲延迟，即在执行命令之前SDRAM存储器在接收到数据读取命令之前应延迟多少个时钟周期。该参数越小，内存响应速度越快。可设置为2.0、2.5、3.0。这通常称为CL值。
RAS-to-CASdelay(tRCD)：内存行地址到列地址的延迟时间。也就是说，从SDRAM行地址选通(RAS)信号到列地址选通信号的延迟周期也是可调的，从1到15，越小则越快。
Row-prechargedelay(tRP)：存储器行地址选通信号预充电时间。调整刷新SDRAM之前预充电行地址选通脉冲信号所需的时钟周期。可调范围为1至7，越小速度越快。
Row-activedelay(tRAS)：内存行地址选通延迟时间范围为1到15，值越小速度越快。
内存时序越低，内存性能越好！

---

三、内存条时序是什么意思？在计算机中，内存模块时序是指内存模块的读写操作，称为内存模块时钟。内存芯片在读写数据时必须遵循一定的时序，而内存模块的时序决定了这些时序。
内存模块时序中最重要的参数是时钟速度和延迟。时钟速度是指存储芯片读写的频率，通常以MHz表示。Latency是指存储芯片的响应时间，通常用CL、tRCD、tRP、tRAS等参数来表示。它代表存储芯片的列延迟、行到列延迟、行充电时间和行移动时间。时间。
内存模块时序对计算机性能有重大影响。如果时钟设置正确，内存读写速度就会降低，从而使计算机变慢。选择内存模块时，选择正确的时钟速度和延迟参数非常重要。一般来说，主频越高、延迟越低的内存条越好，但高性能内存条需要相应的高性能主板和CPU才能实现高性能。