2代3代内存条(内存条三代)

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一、二代内存条和三代内存条区别DDR3插槽比DDR2具有更高的频率、更高的速度、更大的容量和更高的性能。
相比DDR2内存，DDR3内存实际上只是规格上的改进，并不是新架构的真正全面替代。DDR3的接触针数与DDR2相同，均为240针。但万无一失的水平位置就不同了。DDR3对大容量内存有更好的支持，4GB的大容量内存限制是运行32位操作系统的上限（无论PAE等内存映像模式如何，因为这些32位扩展了这些模式）只是过渡方法会降低性能，不会成为零售市场的主流技术）当市场需求超过4GB时，64位CPU和操作系统也是DDR3内存流行的时期。大多数厂商预测DDR3UBDIMM2007将在2010年进入市场并普及。
1DDR2和DDR3内存的特性差异：
1逻辑Bank数量
DDR2SDRAM有4Bank和8Bank两种型号，分别是：旨在满足未来对大容量芯片的需求。。DDR3可能会以2Gb容量起步，因此初始逻辑Bank为8个，未来为16个逻辑Bank做准备。
2个装
由于DDR3的一些新特性，管脚会有所增加。DDR2有60/68/84球三种FBGA封装规格。并且DDR3必须采用绿色封装，不能含有有害物质。
3突发长度（BL，BurstLength）
由于DDR3预取为8位，所以突发传输周期（BL，BurstLength）也固定为8，而对于早期的DDR2架构系统，BL=4为此目的也常用的是4-bitBurstChop模式（突发变异），它结合了BL=4的读操作和BL=4的写操作来合成突发数据进行传输，并且这种模式的突发是可​​以控制的通过地址线A12。
4寻址时间(Time)
由于从DDR2切换到DDR后延迟周期数增加，DDR3的CL周期相对于DDR2也会有所改善。DDR2的CL范围一般在2到5之间，而DDR3的CL范围在5到11之间，并且附加延迟（AL）的设计也发生了变化。DDR2中AL的范围是0到4，而DDR3中AL有3个选项，分别是0、CL-1和CL-2。此外，DDR3还增加了一个新的时间参数——写入延迟（CWD），该参数将根据具体的工作频率来确定。
2DDR3相对于DDR2（桌面无缓冲DIMM）的优势：
1速度更快：预取宽度从4位增加到8位，相同基频下的数据传输量。DDR2的两倍。
2更节能：DDR3模组电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，比同频DDR2更经济内部温度传感器可根据刷新率动态控制（RASR）、PartialArraySelf-Refresh）来达到节能的目的。
3更大容量：随着Bank数量的增加，根据JEDEC标准，DDR2应该能够产生每单元4GB的容量（即单个模块可以达到8GB）。很多DRAM厂商，DDR2的产量都可以超过这个4Gb的单位容量，这意味着单个DDR2DRAM模块的最大容量只能达到4GB。DDR3模块容量将从1GB起，目前单模块规划到16GB是没有问题的（注：这是指针对零售组装市场的无缓冲DIMM，FB和Registered服务器不限于此）。

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二、一般的2代内存条是什么时候普及我的电脑是2011买的应该是几代内存条我暂不在家不能给电脑2009年到2011年这段时间是第二代内存和第三代内存的过渡期，2012年以后第三代内存开始流行。如果能回家确认一下郑冲的身份就更好了。