内存条8g ddr2什么意思(内存条4条全部插满可以吗)

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一、内存条DDR是代表什么意思

DDR=DoubleDataRate，即双倍数据速率。DDRSDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯上称之为DDR。

其中，SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory的缩写，即同步动态随机存取存储器。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写，代表双倍数据速率同步动态RAM。

DDR内存是基于SDRAM内存开发的，始终采用SDRAM生产体系。因此，内存厂商只需要稍微改进普通SDRAM的制造设备就可以实现DDR内存的生产。从而可以有效降低成本。

几乎所有电子设备，从智能手机到服务器，都使用某种形式的RAM内存。尽管NAND闪存继续流行，但SDRAM仍然是大多数计算机和IT产品的主导存储技术，因为它以相对较低的每比特成本提供了速度和存储的良好组合。

DDR是一种双倍数据速率SDRAM，已成为当今首选的存储技术。DDR技术不断发展，提高了速度和容量，同时降低了存储设备的成本、功耗和物理尺寸。

详细信息：

性能特点：

与通用SDRAM相比，DDR采用了更先进的时序电路。允许独立执行传输和输出指定地址和数据的主要步骤，同时保持与CPU的完全同步。

DDR采用DLL技术。当数据有效时，存储控制器可以利用这个数据过滤信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。

DDR本质上是在不增加时钟频率的情况下使SDRAM的速度加倍。它在时钟脉冲的上升沿和下降沿读取数据，速度是标准SDRAM的两倍。

从外观和体积来看，DDR和SDRAM没有太大区别。它们的尺寸相同，引脚之间的距离也相同。但DDR有184个引脚，比SDRAM多了16个引脚，主要包括新的控制、时钟、电源和地信号。

参考来源：-DDR（双倍数据速率）

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二、内存条DDR2和DDR3有什么区别?DDR是继SDRAM之后发展起来的内存技术。DDR的英文原意是“DoubleDataRate”。顾名思义，它是一种双数据传输模式。之所以叫“双”，是因为有“单”。我们日常使用的SDRAM是“单数据传输模式”的特性，在上升沿进行一次操作（读或写），而DDR则引入了一种新的设计，在方波的上升沿进行一次操作，在方波的上升沿进行一次操作，在方波的上升沿进行一次操作，在方波的上升沿进行一次操作。在存储器时钟周期中方波的下降沿。一次操作，在一个时钟周期内，DDR可以完成SDRAM需要两个周期才能完成的任务。因此，在相同速度下，DDR内存的性能是SDR内存的两倍。这可以简单理解为100MHzDDR=200MHzSDR。DDR内存不向后兼容SDRAM。DDR内存不向后兼容SDRAM，需要专门为DDR设计的主板。DDR-II内存将取代现有的DDR-I内存，其运行时钟预计将达到400MHz或更高（包括现代在内的许多内存制造商均表示不会发布DDR-II400内存产品）。从JEDEC组织者制定的DDR-II标准来看，面向PC和其他市场的DDR-II内存将具有400、533和667MHz等不同的时钟频率。高端DDR-II内存将有两种频率：800和1000MHz。DDR-II内存将采用200、220和240引脚FBGA封装。第一款DDR-II内存采用0.13微米生产工艺制造，内存颗粒电压为1.8V，容量密度为512MB。DDR-II将使用与DDR-I内存相同的指，但新技术将允许DDR-II内存具有4至8个通道的脉冲宽度。DDR-II将集成新的性能计数器和中断指令，例如CAS、OCD和ODT。DDR-II标准还为4位和8位512MB内存提供1KB寻址设置，为16位512MB内存提供2KB寻址设置。DDR-II内存标准还包括4位预取，性能为4位，而DDR-I技术的预取仅为2位。DDR3预计将于2006年下半年推出，最高数据传输速度标准将达到1600Mbit/s。不过，就具体设计而言，DDR3和DDR2的基础设施并没有显着差异。从某种角度来看，DDR3是为了克服DDR2发展所面临的限制而设计的产品。因为当DDR2的数据传输频率提高到800MHz时，其核心工作频率已经达到200MHz，因此向上提升的难度更大。这就需要利用新技术来保证可持续的速度发展。另一方面，内存的地址/命令和控制总线由于速度的提高也需要新的拓扑结构，业界也要求内存具有更低的能耗，这也是DDR3需求不断增加的原因。满足：更高的外部数据传输速率和更先进架构的地址/命令和控制总线拓扑进一步降低功耗，同时保证性能。为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新设计：8位预取设计：DDR2是4位预取，因此DRAM核心的频率仅为接口频率的1/8。DDR3-800的核心工作频率仅为100MHz。采用点对点拓扑架构，减少地址/命令和控制总线的负载，采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降低到1.5V，并增加异步复位（Reset）和ZQ校准功能。