(2)工作电压。SDRAM的工作电压为3.3V,DDR为2.5V,DDR2为1.8V,DDR3为1.5V。
(3)tCK时钟周期。tCK时钟周期代表存储器能够运行的最大频率,一般以访问一次数据所花费的时间(
单位为ns,纳秒)作为性能。。指标。一般存储芯片型号背面印有-60、-10、-7字样,表示存取速度为60ns、10ns、7ns。SDRAM内存速度最高可达7ns,DDR内存已达到5ns。
(4)CAS延迟。CL,简而言之,是指内存访问数据所需的延迟时间,即内存收到CPU指令后响应的速度。常见的参数值为2和3。数字越小,响应时间越短。
(5)SPD芯片。SPD(SerialPresenceDetect)是一块附在记忆棒上的8针ROM芯片,容量为256字节,主要记录内存的相关信息,如容量、芯片制造商、内存模块制造商等。
(6)内存行数。即金手指接触点的数量,包括72线、168线、184线、240线等。
(7)ECC验证。ECC检查是一种针对新型存储器的验证技术,它与传统的奇偶校验类似,不同之处在于ECC可以纠正大多数检测到的错误,而奇偶校验则不能,从而使系统能够不间断地运行,并且不会损坏数据中断,提供了有利的条件。服务器运行和工作站稳定的条件。
(8)公交车频率。我们所说的DDR266、DDR333、DDR400中的“266”、“333”、“400”指的是内存总线的频率。
(9)数据带宽。即存储器同时传输的数据位数,单位为bit。内存数据带宽由内存总线频率计算得出,计算公式如下:数据带宽=(总线频率×带宽)/8。
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