内存的基本参数包括(内存的选购参数)

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一、内存的性能指标

内存性能指标包括以下几个方面。

1.存储速度：内存存储速度表示为访问一次数据所花费的时间，单位为纳秒，记为ns。第二。Ns值越小，访问时间越短，速度越快。

2.容量：内存容量越大，死机的可能性就越小，但受主板支持的最大容量限制。内存的容量有1GB、2GB、4GB等。主板通常至少提供两个内存插槽。如果有多个内存插槽，则计算机的总内存容量为所有内存容量的总和。

是CASLstency的缩写，即CAS延迟时间，指的是存储器垂直寻址脉冲的响应时间。这是衡量各种内存规格的重要指标之一。一定的频率。

芯片SPD是一个8引脚EERROM（电可擦可编程只读存储器）芯片。该位置通常在记忆棒正面的右侧，即记录的地方。内存等参数信息，例如速度、容量、电压、行和列地址以及带宽。当电源打开时，计算机的BIOS会自动读取SPD中写入的信息。

5.工作电压：由于低压内存必须低于1.5V的标准电压才能保证稳定运行，因此低压内存的生产在出厂时对内存电压质量要求较高。，内存质量越低。这是低电压存储器的优点之一。因此，高电压内存模块与低电压内存模块的区别在于，低电压内存模块比高电压内存模块消耗更少的电力并且更加环保。

扩展信息：

内存的结构和原理。

存储器的内部结构是PC芯片中最简单的。它由许多重复的“单元”组成——每个单元由一个电容器和一个晶体管（通常是一个N沟道MOSFET）组成。电容可存储1位数据，充放电后的电荷量（电位电平）分别对应二进制数据0和1。

因为电容会漏电，一段时间后电荷就会丢失，导致电压不足，数据丢失。因此，必须定期进行充电，以维持这个称为的电压。刷新，所以动态存储器具有刷新属性，这种刷新操作会一直持续到数据改变或者电源关闭为止。

MOSFET是控制电容器充电和放电的开关。由于结构简单，DRAM可以实现小面积、大存储容量。

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二、内存的主要性能指标是什么？1.内存容量

DDR2家用级DDR2内存最大容量为每条4GB，这是当时主板支持的内存量。入门级DDR3内存受制程限制，每条最大容量为8GB。低于1GB左右的内存会影响Win7/8操作系统的响应速度，并且不同的软件和游戏应用环境对内存容量的要求不同。

2.内存频率

DDR2和DDR3使用DoubleDataRate技术。DDR2内存的起始频率为400MHz，最高频率为DDR2-1066甚至DDR2-1200MHz，而DDR3内存的起始频率为800MHz，甚至可以达到2666+频率。

3.计时

计时表示内存完成一项任务所需的时间量。DDR2内存的时序为CL5/CL6，DDR3内存的时序为CL9/CL11。一般来说，内存的时序呈现频率越高；内存延迟越大。

其他信息：

提高性能的其他方法

现代内存控制器已从北桥转移到CPU，并且内存控制器可以同时处理多个线程。标准台式机和笔记本电脑CPU长期以来一直支持双通道，现在也支持三通道。如果记忆棒插入不同的通道，数据就会分布。内存控制器可以同时读取它们，而不管延迟和时序如何。

2.内存（超频）

和CPU一样，内存超频也会受到身体物理状况的影响。对于记忆棒来说，所谓“物理品质”是指所使用的内存颗粒。通过调整主板BIOS中的各种内存参数，您可以深入探索记忆的潜力。

参考来源：中关村在线-5年前我就评论一下老DDR2设备能不能玩Win8。