这两个内存用于同一笔记本上,可能不兼容。
1.2GB2Rx8PC2-5300s-555-12,表示容量为2G,8颗双面珠,DDR2667,内存时序为555-12。
2.512MB2Rx16PC2-4200S表示容量512M,8颗双面颗粒,DDR2533,显存时间为444-11。
3.这两个存储器具有不同的频率和时序。DDR2主板不具备自动降频功能,因此搭配使用时容易出现不稳定的情况。
DDR:
DDR采用一个周期来回传输数据,因此传输速度同时提高一倍,相当于工作在两倍的工作频率。为了可视化,对其进行了命名,因此命名为DDR200266333400。
DDR2:
虽然DDR2的工作频率没有改变,但数据传输位宽从DDR的2位变为4位,因此数据是同时传输的。DDR的两倍,因此它也使用等。有效频率命名为DDR2400533667800。
DDR3:
DDR3内存并没有提高工作频率,而是继续将数据传输位宽提高到8bit,是DDR2的两倍,因此也达到了更高的水平。相同工作频率下的带宽,因此等效名称为DDR3800106613331600。
所以可以看出DDR400DDR2800DDR31600内存的工作频率没有差别,只是带宽增加了,因为传输的数据位宽增加了一倍。
内存的实际运行频率是由延迟决定的。DDR400和DDR2800的实际工作频率是相同的。如果是DDR400和DDR2667,虽然DDR400和DDR2667的带宽较大,但其实际频率较低,延迟也较大一些。
DDR2与DDR的区别:
1速度和预取
DDR2的实际工作频率是标准DDR内存预期4位容量的DDR2内存的两倍。
2.封装及电压
DDR封装为TSOPII,DDR2封装为FBGA
DDR标准电压为2.5V,DDR2标准电压为1.8V。
3.位预取
DDR是2位预取,DDR2是4位预取。
4.引入新技术
DDR2引入了OCD、ODT和POST
(1)ODT:ODT是集成核心的终端电阻,其作用是允许DQS、RDQS、DQ和DM信号在终端电阻处被消耗,以防止这些信号在电路上反射。
(2)PostCAS:旨在提高DDR2内存使用效率。
如果没有pre-CAS功能,其他L-Bank的寻址操作可能会因为当前行的CAS命令占用地址线而延迟,导致I/O总线上的数据不起作用在那之后。通过使用pre-CAS,可以消除命令冲突并提高数据I/O总线性能。
(3)OCD(Off-ChipDriver):离线驱动器调整,DDR2可以通过OCD提高信号完整性。OCD的作用是整DQS和DQ之间的同步,保证同步。信号完整性和可靠性OCD的主要目的是调节I/O接口的电压以补偿上拉和下拉电阻值,目的是最小化DQS和DQ数据之间的差异。信号。
调整时,检查DQS高电平和DQ高电平分别与DQS低电平和DQ高电平的同步性。如果不满足要求,可以使用地址线设置To突发长度。发送上拉/下拉电阻,OCD活动在测试通过之前不会退出。
DDR3和DDR2的区别:
2为1.8V,DDR3为1.5V。
3采用CSP和FBGA封装,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格。
3.逻辑Bank数量,DDR2有4Bank和8Bank,而DDR3最初有8个Bank。
4.突发长度由于DDR3预计为8位,因此突发传输时间(BL,BurstLength)也固定为8。对于DDR2和早期DDR架构的系统,也常用BL=4。;
DDR3为此增加了4位BurstChop模式,该模式将BL=4读操作与BL=4写操作结合起来,聚合传输数据突发BL=8,这种突发模式可以是通过A112位地址线控制。
5.时序,DDR2的AL为0~4,DDR3为0,CL-1和CL-2。另外,DDR3增加了一个时序参数——写延迟(CWD)。
6.位预取:DDR2为4位预取,DDR3为8位预取。
7.新功能,ZQ是一个新引脚,该引脚连接了240欧姆的低容差参考电阻,并添加了新的SRT(Self-RelashTemperature)编程温度控制时钟频率功能存储器。
新增PASR(PartialArraySelf-Refresh)bank部分刷新功能,可以说让读写数据更加高效,为整个内存bank节省电量。
3的参考电压分为两部分,即服务于命令和地址信号的VREFCA和服务于数据总线的VREFDQ。这将有效提高信噪比。系统数据总线。
9.点对点(p2p)连接,这是为了提高系统性能而做出的重要改变。
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