实时内存时序开还是关

---

一、内存时序高好还是低好

对于相同频率的记忆，时间越短越好。

时间上的CL-TRCD-TRP(11-11-11)表示11个时钟，1600MHz内存中的默认时间是11-11-11，1333MHz内存中的默认时间是9-9。-11。9，因此具有9-9-9时序的1600MHz内存比具有11-11-11时序的1600MHz内存更快。除了通常的超频，将频率从1333MHz更改为1600MHz之外，专家还会更改时序。

基本解释

通用编号“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一。有些品牌的内存会在内存模块的标签上打印CL值，RAS-to-CASDelay（TRCD）地址栏是在地址的延迟时间传输的。

RASPrechargeDelaytRP），存储器行地址选通脉冲预充电时间（tRAS），存储器行地址选通延迟；这是玩家最关心的四个时机调整。这些可以在大多数主板的BIOS中设置。内存模块制造商还计划推出符合JEDEC认证标准的低延迟超频内存模块。

在相同频率设置下，最小“2-2-2-5”的串行时序内存模块实际上可以比“3-4-4-8”带来高达3倍的内存性能。是。5个百分点。

---

二、内存实时频率要打开吗想。只有开启实时内存频率才能达到宣称的频率。如果不启用实时内存频率，内存频率会比标明的频率低很多，所以必须启用。内存频率是指内存模块的主频率，内存主频率代表了内存能够达到的最高运行频率。

---

一、内存时序高好还是低好

内存时序低

拓展知识：

内存时序（英语：Memorytimings或RAMtimings）是对同步动态随机存取存储器的描述（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常常被省略，有时会增加第五个参数：Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写为2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的延迟（latency）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

将内存时序转换为实际延迟时，最需要注意的是它以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能知道一组数字是否比另一组数字快。